[發明專利]一種單個單元波束賦形介質諧振天線

有效

• 申請號: 202010024711.8
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111106443B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 鄭少勇;譚依依
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q13/10;H01Q3/24
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 何文聰

1.一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于，包括：

第一介質諧振器；

第二介質諧振器，設置于所述第一介質諧振器下方；

金屬地層，設置于所述第二介質諧振器下方且具有饋電縫隙；

基板，設置于所述金屬地層下方；

饋電結構，設置于所述基板下方且具有微帶線，所述微帶線的至少一部分位于所述饋電縫隙的正下方，所述饋電結構包括去耦合網絡，所述饋電縫隙包括第一饋電縫隙和兩條第二饋電縫隙，所述第一饋電縫隙和所述第二饋電縫隙分隔設置；所述微帶線包括第一微帶線和兩條第二微帶線，所述第一微帶線通過去耦合網絡連接兩條所述第二微帶線，兩條所述第二微帶線之間通過去耦合網絡相連，所述第一微帶線的至少一部分位于所述第一饋電縫隙的正下方，每一所述第二微帶線的至少一部分分別位于一條所述第二饋電縫隙的正下方；所述第一饋電縫隙和兩條所述第二饋電縫隙用于為所述第一介質諧振器提供若干個饋電位置和激勵電流的分布。

2.根據權利要求1所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：所述第一介質諧振器的介電材料的介電常數大于所述第二介質諧振器的介電材料的介電常數。

3.根據權利要求1所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：所述第一饋電縫隙的長度不小于所述第二饋電縫隙的長度，或者所述第一饋電縫隙的寬度不小于所述第二饋電縫隙的寬度。

4.根據權利要求1所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：兩條所述第二饋電縫隙關于所述第一饋電縫隙對稱設置。

5.根據權利要求1所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：所述去耦合網絡為環形結構，且設置有裂口。

6.根據權利要求1所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：所述去耦合網絡包括第一去耦合網絡和至少一第二去耦合網絡，兩條所述第二微帶線通過所述第一去耦合網絡直接相連接，所述第二微帶線通過所述第二去耦合網絡與所述第一微帶線連接。

7.根據權利要求6所述的一種單個單元波束賦形介質諧振天線，其特征在于：所述去耦合網絡包括第一去耦合網絡和兩個第二去耦合網絡，兩個所述第二去耦合網絡關于所述第一去耦合網絡對稱設置。