[發明專利]摻磷單晶硅生產中防塵爆的抽真空方法及應用其的摻磷單晶硅生產方法

有效

• 申請號: 202010024633.1
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111172598B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 萬軍召
• 申請（專利權）人: 鄭州合晶硅材料有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/06;F17D1/04;F17D3/01
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 李強

1.一種摻磷單晶硅生產中防塵爆的抽真空方法，其特征在于，用于生產摻磷單晶硅的單晶爐包括相互連通的主室和副室，所述副室設于所述主室上方；所述防塵爆的抽真空方法包括以下步驟：

S1、采用第一管道將主閥和主泵依次連通到所述主室，并關閉所述主閥和主泵；

S2、采用第二管道將輔助閥和副泵依次連通到所述副室，采用第三管道將快充閥連通至所述主室或所述副室；打開所述輔助閥和副泵將所述單晶爐內的空氣抽出，控制所述快充閥向所述單晶爐內通入惰性氣體，

步驟S2包括：

(1)設置惰性氣體流量；

(2)打開所述輔助閥和副泵將所述單晶爐內的空氣經所述第二管道抽出，爐壓降至P1值時關閉所述輔助閥；

(3)打開所述快充閥且經所述第三管道向所述單晶爐內通入惰性氣體，爐壓升至P2值時關閉所述快充閥，

依次重復步驟(2)和(3)操作至少三次后，爐壓為P2值，同時所述輔助閥、副泵和快充閥保持關閉，再打開連通到主室上的主閥和主泵繼續抽出空氣保持單晶爐內真空狀態，同時不滿足塵爆條件，

打開主閥和主泵繼續抽出空氣前，還需要打開設置在所述主閥和主室之間的蝶閥，將所述蝶閥開度設為5％并打開所述蝶閥。

2.根據權利要求1所述的摻磷單晶硅生產中防塵爆的抽真空方法，其特征在于，惰性氣體包括氬氣，惰性氣體經所述第三管道從惰性氣體源送至所述快充閥。

3.根據權利要求1所述的摻磷單晶硅生產中防塵爆的抽真空方法，其特征在于，所述主室和副室之間設置有隔離閥來控制所述主室和副室的連通或隔離；在抽出空氣和通入惰性氣體的過程中，打開所述隔離閥以使所述主室和副室之間連通。

4.一種避免塵爆發生的摻磷單晶硅的生產方法，其特征在于，包括以下步驟：

將原料多晶硅加入單晶爐的主室內，通過權利要求1～3任一項所述的摻磷單晶硅生產中防塵爆的抽真空方法使爐內形成真空，再加熱原料使其熔化后開始長晶進行摻磷單晶硅的生產。