[發明專利]光刻工藝的優化方法和光刻方法

在審

• 申請號: 202010024303.2
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113093476A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 謝金剛;杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/44;G03F1/70
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種光刻工藝的優化方法，其特征在于，包括：

提供測試版圖和測試光源，所述測試版圖中包括若干測試主圖形、以及包圍所述若干所述測試主圖形的若干輔助圖形；

獲取光源掩膜優化模型；

根據所述光源掩膜優化模型對所述測試版圖與所述測試光源進行預設次數的優化處理，在每次所述優化處理后獲取光源掩膜優化數據；

根據預設次數的所述優化處理所獲取的光源掩膜優化數據，獲取優化版圖與優化光源。

2.如權利要求1所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，每次所述優化處理的方法包括：對所述測試版圖進行版圖調整，獲取中間版圖；根據所述光源掩膜優化模型對所述測試光源進行光源調整，獲取中間光源；根據所述中間光源對所述中間版圖進行模擬曝光，獲取曝光版圖，所述曝光版圖中包括與所述測試主圖形相對應的曝光主圖形。

3.如權利要求2所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，所述版圖調整包括：對所述測試主圖形的尺寸調整以及對所述輔助圖形的密度調整。

4.如權利要求3所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，對所述測試主圖形的尺寸調整的方法包括：將所述測試主圖形的各個邊長分割為若干分割段，對若干分割段中的一段或多段進行平移調整。

5.如權利要求3所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，對所述輔助圖形的密度調整的方法包括：獲取所述測試版圖的區域面積；對所述測試版圖的區域面積內的所述輔助圖形的數量進行調整。

6.如權利要求2所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，所述光源調整包括：對所述測試光源進行形狀的調整、以及對所述測試光源進行照射角度的調整。

7.如權利要求2所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，獲取每次所述優化處理后的光源掩膜優化數據的方法包括：提供目標版圖，所述目標版圖中包括與所述曝光主圖形相對應的目標主圖形；對比所述曝光主圖形與所述目標主圖形，獲取每次所述優化處理后的光源掩膜優化數據。

8.如權利要求7所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，每次所述優化處理后的光源掩膜優化數據包括：所述曝光主圖形與所述目標主圖形之間的邊緣位置誤差、所述曝光主圖形與所述目標主圖形之間的工藝變化帶寬以及所述曝光主圖形的聚焦偏移。

9.如權利要求2所述的光刻工藝的優化方法，其特征在于，根據預設次數的所述優化處理所獲取的光源掩膜優化數據，獲取優化版圖與優化光源的方法包括：獲取所有光源掩膜優化數據中最小的光源掩膜優化數據；獲取最小光源掩膜優化數據的曝光主圖形所對應的中間版圖與所述中間光源，且以最小光源掩膜優化數據的曝光主圖形所對應的中間版圖與所述中間光源作為優化版圖與優化光源。

10.一種光刻方法，其特征在于，包括：

提供測試版圖和測試光源，所述測試版圖中包括若干測試主圖形、以及包圍所述若干所述測試主圖形的若干輔助圖形；

獲取光源掩膜優化模型；

根據所述光源掩膜優化模型對所述測試版圖與所述測試光源進行預設次數的優化處理，在每次所述優化處理后獲取光源掩膜優化數據；

根據預設次數的所述優化處理所獲取的光源掩膜優化數據，獲取優化版圖與優化光源；

根據所述優化版圖獲取芯片掩模版；

提供基底；

以所述芯片掩模版為掩膜，通過所述優化光源對所述基底進行曝光，在所述基底上形成光刻圖形。

11.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，根據所述優化版圖獲取芯片掩模版的方法包括：通過所述優化版圖形成初始芯片掩模版圖，所述初始芯片掩模版圖與所述優化版圖相同或成比例；對所述初始芯片掩模版圖進行芯片掩模優化，獲取芯片掩模版圖；根據所述芯片掩模版圖形成芯片掩模版。