[發(fā)明專利]X/Y應(yīng)力獨(dú)立電阻器的跟蹤溫度補(bǔ)償在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010024101.8 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN111435657A | 公開(公告)日: | 2020-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·石澤龍;J·R·托德;T·B·弗利茲;R·P·布里德勞 | 申請(專利權(quán))人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/08 | 分類號: | H01L27/08;G01L1/16;G01L1/18;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 應(yīng)力 獨(dú)立 電阻器 跟蹤 溫度 補(bǔ)償 | ||
1.一種集成電路即IC,包括:
具有表面的半導(dǎo)體襯底;以及
參考電阻器,包括:
第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域,其形成在所述襯底中,其中所述第一區(qū)域在平行于所述表面的橫向方向上延伸;
第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域,其形成在所述襯底中并耦合到所述第一區(qū)域,其中所述第二區(qū)域在垂直于所述表面的豎直方向上延伸,并且其中所述第二導(dǎo)電類型被配置為阻礙電流在所述豎直方向上流動(dòng);
所述第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域,其形成在所述襯底中并耦合到所述第一區(qū)域,其中所述第三區(qū)域在所述豎直方向上延伸;
第一接觸結(jié)構(gòu),其耦合到所述第二區(qū)域和所述表面;以及
第二接觸結(jié)構(gòu),其耦合到所述第三區(qū)域和所述表面,其中所述參考電阻器繞所述豎直方向是雙重旋轉(zhuǎn)對稱的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC,其中所述第二區(qū)域的內(nèi)側(cè)和所述第一接觸結(jié)構(gòu)通過隔離結(jié)構(gòu)與所述第三區(qū)域的外側(cè)和所述第二接觸結(jié)構(gòu)分開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC,其中所述第三區(qū)域和所述第二接觸結(jié)構(gòu)的橫截面是針孔形的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC,其中所述第二導(dǎo)電類型是n摻雜的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC,其中所述IC包括第二電阻器,并且其中所述第二導(dǎo)電類型具有與所述第二電阻器的導(dǎo)電類型相同的溫度系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC,其中所述第二電阻器的導(dǎo)電類型是所述第二導(dǎo)電類型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC,其中所述半導(dǎo)體襯底是p型硅襯底。
8.一種集成電路即IC,包括:
具有表面的半導(dǎo)體襯底;
布置在平行于所述表面的第一平面中的橫向電阻器;以及
豎直參考電阻器,包括:
布置在平行于所述表面并且比所述第一平面深的第二平面中的層,所述層具有被配置為促進(jìn)電流在所述第二平面中流動(dòng)的摻雜,以及
第一溝槽和第二溝槽,其耦合在所述層和所述表面之間并且布置在正交于所述第一平面和所述第二平面的豎直方向上,所述第一溝槽和所述第二溝槽具有被配置為阻礙電流在所述豎直方向上流動(dòng)的摻雜,
其中所述第一溝槽和所述第二溝槽的橫截面繞所述豎直方向是雙重旋轉(zhuǎn)對稱的,并且其中所述第一溝槽和所述第二溝槽與所述橫向電阻器具有相同的溫度系數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述第一溝槽的內(nèi)側(cè)通過隔離結(jié)構(gòu)與所述第二溝槽的外側(cè)分開。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述第二溝槽的橫截面是針孔形的。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述第一溝槽和所述第二溝槽是側(cè)壁摻雜的。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述第一溝槽和所述第二溝槽是n摻雜的。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述橫向電阻器的橫截面是L形的,所述橫向電阻器包括:
第一元件;以及
第二元件,其與所述第一元件串聯(lián)耦合,其中所述第二元件被配置為使得電流流過所述第二元件的方向正交于電流流過所述第一元件的方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其中所述半導(dǎo)體襯底是p型硅襯底。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC,其進(jìn)一步包括:
第一電流源,其耦合到所述橫向電阻器;
第二電流源,其耦合到所述豎直參考電阻器;以及
放大器,其耦合到所述橫向電阻器和所述豎直參考電阻器,所述放大器具有用于提供電壓差信號的輸出。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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