[發明專利]用于自旋場效應晶體管的自旋信號測量方法及系統

有效

• 申請號: 202010023520.X
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113176483B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 孫連峰;彭志盛;蔡金鐘;任紅軒;池建義
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心;中國科學院包頭稀土研發中心
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 楊明月

1.一種用于自旋場效應晶體管的自旋信號測量方法，其特征在于，包括：

對自旋場效應晶體管的漏極和源極之間施加電壓，并通過所述自旋場效應晶體管的柵極，得到所述自旋場效應晶體管的第一轉移曲線；

基于預設磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線；

根據所述第一轉移曲線和所述目標轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果；

所述對自旋場效應晶體管的漏極和源極之間施加電壓，并通過所述自旋場效應晶體管的柵極，得到所述自旋場效應晶體管的第一轉移曲線，包括：

對自旋場效應晶體管的漏極和源極之間施加電壓；

根據預設調整范圍，對所述自旋場效應晶體管的柵極電壓進行調整，以根據調整后的柵極電壓得到第一轉移曲線；

所述基于預設磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線，包括：

基于平行于所述自旋場效應晶體管中納米管的方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第二轉移曲線；

根據所述第一轉移曲線和所述第二轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果；

所述基于預設磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線，還包括：

基于平行于所述自旋場效應晶體管中漏極和源極之間的電場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第三轉移曲線；

根據所述第一轉移曲線和所述第三轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果；

所述基于預設磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線，還包括：

基于垂直于所述自旋場效應晶體管襯底表面的方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第四轉移曲線；

根據所述第一轉移曲線和所述第四轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果。

2.根據權利要求1所述的用于自旋場效應晶體管的自旋信號測量方法，其特征在于，所述基于預設磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線，還包括：

基于多種預設的磁場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到在每種預設的磁場方向中，每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的目標轉移曲線。

3.根據權利要求2所述的用于自旋場效應晶體管的自旋信號測量方法，其特征在于，在所述根據所述第一轉移曲線和所述目標轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果之前，包括：

基于平行于所述自旋場效應晶體管中納米管的方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第二轉移曲線；

基于平行于所述自旋場效應晶體管中漏極和源極之間的電場方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第三轉移曲線；

基于垂直于所述自旋場效應晶體管襯底表面的方向，對所述自旋場效應晶體管施加多種預設強度的磁場，得到每種預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的第四轉移曲線；

根據所述第一轉移曲線、所述第二轉移曲線、所述第三轉移曲線和所述第四轉移曲線，獲取不同預設強度的磁場下所述自旋場效應晶體管的自旋信號測量結果。