[發(fā)明專利]電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010023040.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111257335B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO（重慶）智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/94
• 分類號(hào): G01N21/94
• 代理公司: 深圳市慧實(shí)專利代理有限公司 44480
• 代理人: 孫東杰

1.一種電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，所述電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法包括：

提供電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括本體和透光蓋板，所述本體具有待檢測(cè)區(qū)域，所述透光蓋板正對(duì)所述待檢測(cè)區(qū)域；

提供初始?xì)怏w；

將所述初始?xì)怏w進(jìn)行電離，以形成陰離子氣體；

對(duì)所述陰離子氣體進(jìn)行過(guò)濾，以形成含有陰離子的除塵氣體；

向所述透光蓋板外表面輸出含有陰離子的除塵氣體，所述除塵氣體中和所述透光蓋板外表面的陽(yáng)離子，降低所述透光蓋板外表面的靜電吸附力；

除去吸附在所述透光蓋板外表面的外部帶陽(yáng)離子的塵點(diǎn)；

檢測(cè)導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)，其中，所述導(dǎo)光通道為光線透過(guò)所述透光蓋板至所述待檢測(cè)區(qū)域的通道；

獲取目標(biāo)圖像和參考圖像，其中，所述目標(biāo)圖像為透過(guò)所述透光蓋板拍攝所述待檢測(cè)部所獲取的圖像；所述參考圖像為所述導(dǎo)光通道內(nèi)無(wú)塵點(diǎn)的圖像；

將所述目標(biāo)圖像和所述參考圖像進(jìn)行比較；

確定所述目標(biāo)圖像的多個(gè)第一像素值、及所述參考圖像的多個(gè)第二像素值；

將每個(gè)所述第一像素值與對(duì)應(yīng)于所述第一像素值的所述第二像素值進(jìn)行比較，以獲取含有差異值的矩陣，其中，所述差異值為所述第一像素值與對(duì)應(yīng)于所述第一像素值的所述第二像素值之間的差值；

根據(jù)所述矩陣來(lái)檢測(cè)所述導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)；

根據(jù)所述矩陣來(lái)檢測(cè)所述導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)數(shù)量；

判斷所述導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)數(shù)量是否在預(yù)設(shè)數(shù)量范圍內(nèi)，以判斷所述導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)密度是否在預(yù)設(shè)密度范圍內(nèi)；

若否，則對(duì)所述電子設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行第一模式去塵處理。

2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，在獲取目標(biāo)圖像的步驟中，包括：

提供光源和傳感器；

所述光源向所述透光蓋板發(fā)出光線，所述光線透過(guò)所述透光蓋板至所述待檢測(cè)區(qū)域；

所述傳感器接收從所述透光蓋板透射出來(lái)的待檢測(cè)光線，以形成目標(biāo)圖像。

3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，在根據(jù)所述矩陣來(lái)檢測(cè)導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)的步驟中，包括：

根據(jù)所述矩陣確定導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)直徑；

判斷所述導(dǎo)光通道內(nèi)的塵點(diǎn)直徑是否在預(yù)設(shè)直徑范圍內(nèi)；

若否，則對(duì)所述電子設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行第二模式去塵處理。

4.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，所述除塵氣體的速度大于或者等于18m/s。

5.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備內(nèi)部塵點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，所述除塵氣體的潔凈度大于或者等于100級(jí)。