[發明專利]非揮發性存儲元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010022120.7
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113097211A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 王佳文;陳建宏;黃嘉暉;薛仁揚;周憐秀;徐治旸
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種非揮發性存儲元件，其特征在于，包括:

基板；

多個淺溝槽隔離線，設置在所述基板上延伸于第一方向；

存儲柵極結構，設置在所述基板上，在所述多個淺溝槽隔離線的相鄰二個之間；

溝槽線，設置在所述基板中，延伸于與所述第一方向相交的第二方向，其中所述溝槽線也跨過所述多個淺溝槽隔離線的頂部；以及

導電線，設置在所述溝槽線中當作選擇線與所述存儲柵極結構耦合。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述多個淺溝槽隔離線高于所述基板表面，其中所述存儲柵極結構包括:

柵極絕緣層，在所述基板上；

浮置柵極層，設置在所述柵極絕緣層上且在所述多個淺溝槽隔離線的所述相鄰二個之間；

介電層，設置在所述浮置柵極層上；

控制柵極線，設置在所述浮置柵極層上，且延伸在所述第二方向；

蓋帽層，設置在所述控制柵極在線；以及

第一絕緣層，至少設置在所述浮置柵極層、所述控制柵極線及所述蓋帽層的側壁上。

3.根據權利要求1所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述介電層包含氧化物/氮化物/氧化物結構。

4.根據權利要求2所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述控制柵極線跨過所述多個淺溝槽隔離線，以連接到多個存儲單元。

5.根據權利要求2所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，還包括:

第二絕緣層，設置在所述基板上且覆蓋在所述導電在線；以及

抹除柵極線，設置在所述導電在線，鄰接于所述存儲柵極結構。

6.根據權利要求5所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述抹除柵極線是沿著所述第二方向延伸且在相鄰兩個所述存儲柵極結構之間。

7.根據權利要求2所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述浮置柵極層有一部分由所述控制柵極線向外延伸，且是在所述控制柵極線與所述導電線之間。

8.根據權利要求7所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述抹除柵極線包含下部相鄰于所述控制柵極線與所述蓋帽層的側壁。

9.根據權利要求1所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，所述導電線包含摻雜多晶硅、鎢、銅或金屬。

10.根據權利要求1所述的非揮發性存儲元件，其特征在于，還包括字符線，跨過所述多個淺溝槽隔離線，沿著所述第二方向延伸，且在所述存儲柵極結構的一邊，與所述導電線相對。

11.一種制造非揮發性存儲元件的方法，其特征在于，包括:

提供基板；

形成多個淺溝槽隔離線在所述基板上延伸于第一方向；

形成存儲柵極結構在所述基板上，在所述多個淺溝槽隔離線的相鄰二個之間；

形成溝槽線在所述基板中，延伸于與所述第一方向相交的第二方向，其中所述溝槽線也跨過所述多個淺溝槽隔離線的頂部；以及

形成導電線在所述溝槽線中，當作選擇線與所述存儲柵極結構耦合。

12.根據權利要求11所述的制造非揮發性存儲元件的方法，其特征在于，所述多個淺溝槽隔離線高于所述基板表面，其中所形成的所述存儲柵極結構包括:

柵極絕緣層，在所述基板上；

浮置柵極層，設置在所述柵極絕緣層上且在所述多個淺溝槽隔離線的所述相鄰二個之間；

介電層，設置在所述浮置柵極層上；

控制柵極線，設置在所述浮置柵極層上，且延伸在所述第二方向；

蓋帽層，設置在所述控制柵極在線；以及

第一絕緣層，至少設置在所述浮置柵極層、所述控制柵極線及所述蓋帽層的側壁上。

13.根據權利要求12所述的制造非揮發性存儲元件的方法，其特征在于，所述介電層包含氧化物/氮化物/氧化物結構。