[發(fā)明專利]廢氣凈化系統(tǒng)及凈化方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010022101.4
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN112642265A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高境;趙傳峰;李艷萍;楊寶勇;段承希;趙雯;高迪
• 申請（專利權(quán)）人: 高境
• 主分類號: B01D53/26
• 分類號: B01D53/26;B01D53/18
• 代理公司: 北京華睿卓成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11436
• 代理人: 唐莉

1.去除廢氣中的氣態(tài)污染物的方法，包括：使廢氣通過氣態(tài)污染物去除裝置，所述氣態(tài)污染物去除裝置包括氣流通道以及布置在氣流通道中的冷卻裝置，所述冷卻裝置包括至少兩個片狀構(gòu)件，所述片狀構(gòu)件基本上相互平行且基本上平行于廢氣的流動方向，廢氣從相鄰片狀構(gòu)件之間通過，廢氣流速不高于10m/s；片狀構(gòu)件外表面溫度低于廢氣中至少部分蒸氣成分的露點溫度，通過對廢氣進行冷卻使得廢氣中的至少部分蒸氣凝結(jié)成液滴，廢氣中的氣態(tài)污染物吸附在所述液滴上并隨所述液滴濕沉降在片狀構(gòu)件外表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進一步包括：回收濕沉降到片狀構(gòu)件外表面的液滴。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述冷卻裝置是翅片管換熱器，換熱器上的翅片構(gòu)成所述片狀構(gòu)件；或者所述片狀構(gòu)件是半導(dǎo)體熱電片，所述冷卻裝置包括兩個冷端相對的半導(dǎo)體熱電片，廢氣從兩個半導(dǎo)體熱電片的冷端之間通過。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項的方法，其中在使廢氣通過冷卻裝置之前對廢氣進行預(yù)處理，所述預(yù)處理包括提高廢氣中的蒸氣含量、向廢氣中添加酸性物質(zhì)、對廢氣進行氧化處理、向廢氣中添加堿性物質(zhì)、對廢氣進行加壓中的任意一項或幾項。

5.去除廢氣中氣態(tài)污染物的系統(tǒng)，包括：供廢氣通過并進行處理的氣態(tài)污染物去除裝置，所述氣態(tài)污染物去除裝置包括氣流通道及布置在氣流通道中的冷卻裝置，所述冷卻裝置包括至少兩個片狀構(gòu)件，所述片狀構(gòu)件基本上相互平行且基本上平行于氣流走向。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的系統(tǒng)，其中所述冷卻裝置是翅片管換熱器，換熱器上的翅片構(gòu)成所述片狀構(gòu)件；或者所述片狀構(gòu)件是半導(dǎo)體熱電片，所述冷卻裝置包括兩個冷端相對的半導(dǎo)體熱電片。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6的系統(tǒng)，其中在所述冷卻裝置的上游側(cè)設(shè)置有噴入裝置，用于向廢氣中噴入可在廢氣中形成蒸氣的物質(zhì)、氧化性物質(zhì)、酸性物質(zhì)、堿性物質(zhì)中的任意一種或幾種。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項的系統(tǒng)，其中在冷卻裝置的上游側(cè)設(shè)置有氧化裝置，用于對廢氣進行氧化處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項的系統(tǒng)，其中在冷卻裝置的上游側(cè)設(shè)置有加壓裝置，用于對廢氣進行加壓處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求5-9任一項的系統(tǒng)，還包括引流通道，用于使液滴通過所述引流通道引出和/或回收。