[發(fā)明專利]一種基于錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的紫外探測器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010021960.1 | 申請日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN111276565A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄒友生;張亦弛;王沙龍 | 申請(專利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0328 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 馬魯晉 |
| 地址: | 210094 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 錫酸鋅 石墨 復(fù)合材料 紫外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種紫外光電探測器制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟A、將錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料分散于無水乙醇中,將分散液置于離心管中;
步驟B、將叉指電極先后在去離子水和無水乙醇中超聲清洗干凈,并置于步驟A中的離心管中;
步驟C、將上述離心管置于離心機中進行離心;
步驟D、離心結(jié)束后,將器件取出,擦除兩側(cè)電極上的材料,然后置于加熱板上烘干,即完成器件的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外光電探測器制備方法,其特征在于,步驟A中錫酸鋅/石墨烯的乙醇分散液濃度為1~3mg/mL。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外光電探測器制備方法,其特征在于,步驟B中叉指電極以Si/SiO2為襯底,電極材料為Au/Cr,Au的厚度為100nm,Cr的厚度為10nm,叉指間距為20μm,指寬為30μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外光電探測器制備方法,其特征在于,步驟C中離心參數(shù)為,離心轉(zhuǎn)速為6000~10000rpm/min,離心時間為1~3min,離心次數(shù)為1次。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外光電探測器制備方法,其特征在于,步驟D中烘干溫度為100~200℃,烘干時間為10~30min。
6.一種制備權(quán)利要求1中所用錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的方法,其特征在于,包含以下步驟:
步驟1、去除Zn靶和Sn靶表面的氧化層,之后使用脈沖激光先后轟擊置于經(jīng)去離子水稀釋過的雙氧水中的Sn靶和Zn靶,獲得含有Sn和Zn帶電粒子團的高活性前驅(qū)體溶液;
步驟2、取適量步驟1的前驅(qū)體溶液,加入氨水,并攪拌均勻,此時前驅(qū)體溶液中含有Sn(OH)4和Zn(OH)2,且溶液呈乳白色;
步驟3、將氧化石墨烯溶解于去離子水中,配置成氧化石墨烯分散液;
步驟4、取一定量的氧化石墨烯分散液滴加到步驟2中乳白色的溶液中,并攪拌均勻;
步驟5、將上述溶液轉(zhuǎn)移到水熱反應(yīng)釜中進行水熱反應(yīng);
步驟6、反應(yīng)結(jié)束后,使用去離子水和無水乙醇對樣品進行清洗;
步驟7、清洗完成后,將樣品放入烘箱烘干,得到錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟1中雙氧水和去離子水的比例為1:11,轟擊Sn靶的時間為35min,轟擊Zn靶的時間為20min,激光能量為80mJ,激光聚焦斑點直徑約為2mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟2中氨水的濃度為25~28wt%,氨水與前驅(qū)體溶液的體積比為1:30~1:10。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟3中所述石墨烯分散液的濃度為6mol/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的錫酸鋅/石墨烯復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟4中氧化石墨烯分散液與步驟2中所使用前驅(qū)體溶液的比例為1:3000~1:30;步驟5中的水熱反應(yīng)溫度為180~200℃,反應(yīng)時間為10~15h;步驟6中的清洗方式為離心清洗,離心轉(zhuǎn)速為5000~8000r/min,離心時間為1~3min,離心次數(shù)為3~6次。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





