[發(fā)明專利]一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010021933.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111139432B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李垚;豆書亮;魏航;趙九蓬;任飛飛;谷金鑫;李龍;范青潽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/06 | 分類號(hào): | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C03C17/245;G02B5/00;G02B1/113 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 仿蛾眼 結(jié)構(gòu) 氧化 智能 薄膜 | ||
1.一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜,其特征在于一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜自下而上依次由基底層和VO2層組成;
所述的VO2層由多個(gè)W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元組成,且所述的多個(gè)W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元均布設(shè)置于基底層上層表面,相鄰W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元緊密排列;所述的W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元形狀為圓臺(tái)形;所述的W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元為圓臺(tái)形,圓臺(tái)形的上圓面直徑為140nm~294nm,圓臺(tái)形的下圓面直徑為150nm~300nm,高度為30nm~100nm;
所述的W摻雜的VO2微納結(jié)構(gòu)單元中W占W與V的總原子數(shù)的1%~3%;所述的基底層為SiO2、TiO2或聚酰亞胺;
上述一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜的制備方法,它是按以下步驟進(jìn)行的:
一、高能脈沖磁控濺射W摻雜的VO2薄膜制備:
采用高能脈沖磁控濺射技術(shù),在基底層上制備W摻雜的VO2薄膜,得到表面覆有W摻雜的VO2薄膜的基底層;
二、離子束刻蝕:
在W摻雜的VO2薄膜上沉積SiO2球作為模板,利用離子束刻蝕法刻蝕W摻雜的VO2薄膜,得到VO2層,最后去除SiO2球,得到仿蛾眼結(jié)構(gòu)VO2智能窗薄膜;
步驟二中在W摻雜的VO2薄膜上沉積SiO2球作為模板,具體是按以下步驟進(jìn)行:將清洗干凈的SiO2球分散于乙醇和水的混合液中,超聲分散,得到分散后的SiO2球溶液,在器皿中加入水,然后滴入質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2%的十二烷基硫酸鈉溶液,得到分散液,將硅片斜插入分散液中,在液面上方的硅片上,用微量注射器將分散后的SiO2球溶液沿硅片推送至液面,使得SiO2球在液面成膜,將在液面成膜的SiO2球用表面覆有W摻雜的VO2薄膜的基底層從液面撈起,用濾紙吸干液體;所述的SiO2球粒徑為50nm~500nm;所述的乙醇和水的混合液中乙醇和水的質(zhì)量比1:(0.5~2);所述的分散液中水與質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2%的十二烷基硫酸鈉溶液的體積比為(5~200)mL:10μL。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜,其特征在于所述的VO2層厚度為50nm~200nm;所述的基底層厚度為500μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種仿蛾眼結(jié)構(gòu)二氧化釩智能窗薄膜,其特征在于步驟一中在溫度為300℃~600℃的條件下,采用高能脈沖磁控濺射技術(shù),在基底層上制備W摻雜的VO2薄膜。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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