[發(fā)明專利]一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010021521.0
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111074225A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 毛念新;黃翔鄂;嚴仲君
• 申請（專利權(quán)）人: 上海嘉森真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08
• 代理公司: 上海三方專利事務(wù)所(普通合伙) 31127
• 代理人: 吳瑋

1.一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于在濺射過程中，通過固態(tài)微波源激勵等離子體實現(xiàn)膜層氧化，以提高膜層折射率的穩(wěn)定性。

2.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于采用的固態(tài)微波源的頻率為2450MHz。

3.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于所述的固態(tài)微波源采用具有矩形諧振腔的定向耦合器波導(dǎo)，從而提高諧振腔內(nèi)的微波諧振腔模式數(shù)，提高微波場的均勻性。

4.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于采用雙磁控濺射靶進行磁控濺射鍍膜。

5.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于磁控濺射靶的材料包括硅、鈮、鉭、鈦、鋯。

6.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于所述的方法具體如下：向用于磁控濺射的真空腔體的一側(cè)的氧化區(qū)導(dǎo)入氧氣，用以把鍍層金屬氧化成氧化物，并通過所述的固態(tài)微波源為氧分子輸入能量，以生成活潑的等離子體進而提高與金屬結(jié)合的效率，其中鍍層金屬為導(dǎo)電體，且為非氧化物。

7.如權(quán)利要求1所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于所述的固態(tài)微波源設(shè)置有相連的調(diào)諧器和定向耦合器波導(dǎo)，所述的定向耦合器波導(dǎo)的諧振腔采用矩形諧振腔。

8.如權(quán)利要求7所述的一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法，其特征在于所述的定向耦合器波導(dǎo)遠于調(diào)諧器的一端還連接有適配端部。