[發明專利]一種適用于二極管橋的一體化疊層母排結構

有效

• 申請號: 202010021356.9
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111082403B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 齊磊;陳熙琳;渠鑫源;劉珂鑫;東野忠昊
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: H02H7/26
• 分類號: H02H7/26;H02H3/087
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 楊媛媛

1.一種適用于二極管橋的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述一體化疊層母排結構包括：IGBT壓裝結構、二極管壓裝結構、電容器組以及疊層母排組；

所述IGBT壓裝結構一次壓接2只并聯IGBT，2只并聯IGBT水平分布；所述2只并聯IGBT包括1號IGBT和2號IGBT；所述二極管壓裝結構一次壓接4只二極管；所述4只二極管包括D1二極管、D2二極管、D3二極管以及D4二極管；其中所述D1二極管和所述D2二極管一組，所述D3二極管和所述D4二極管一組，形成兩組二極管；同一組中的兩只二極管同向排列；兩組二極管呈鏡像分布；所述電容器組由2只串聯電容以及絕緣支撐板組成；所述2只串聯電容包括1號圓筒電容器和2號圓筒電容器；所述疊層母排組包括1號疊層母排和2號疊層母排；

所述1號疊層母排具體包括E極連接端、1號連接板以及2號圓筒電容器連接端；

所述1號連接板的中部設有1號開孔，所述D1二極管的陰極經所述1號開孔與所述2號疊層母排電氣連接；

所述2號疊層母排具體包括C極連接端、2號連接板以及1號圓筒電容器連接端；

所述2號連接板的中部設有2號開孔，所述D4二極管的陽極經所述2號開孔與1號疊層母排電氣連接；

所述1號IGBT的C極、所述2號IGBT的C極通過所述2號疊層母排與所述D1二極管的陰極以及所述D3二極管的陰極連接；所述1號IGBT的E極、所述2號IGBT的E極通過所述1號疊層母排與所述D2二極管的陽極以及所述D4二極管的陽極連接；所述1號圓筒電容器的一端通過所述2號疊層母排與所述D1二極管的陰極以及所述D3二極管的陰極連接；所述2號圓筒電容器的一端通過所述1號疊層母排與所述D2二極管的陽極以及所述D4二極管的陽極連接；所述1號圓筒電容器的另一端通過所述絕緣支撐板與所述2號圓筒電容器的另一端連接。

2.根據權利要求1所述的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述IGBT壓裝結構包括1號IGBT、2號IGBT、3號壓接金屬塊以及4號壓接金屬塊；所述1號IGBT的C極和所述2號IGBT的C極通過所述4號壓接金屬塊連接；所述1號IGBT的E極和所述2號IGBT的E極通過所述3號壓接金屬塊連接。

3.根據權利要求2所述的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述二極管壓裝結構包括D1二極管、D2二極管、D3二極管、D4二極管、1號壓接金屬塊、2號壓接金屬塊、5號壓接金屬塊以及6號壓接金屬塊；所述D1二極管的陽極和所述D2二極管的陰極分別與所述5號壓接金屬塊電氣連接；所述D3二極管的陽極和所述D4二極管的陰極分別與所述6號壓接金屬塊電氣連接；所述D1二極管的陰極和所述D3二極管的陰極通過所述1號壓接金屬塊連接；所述D2二極管的陽極和所述D4二極管的陽極通過所述2號壓接金屬塊連接。

4.根據權利要求3所述的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述1號疊層母排包括E極連接端、1號連接板以及2號圓筒電容器連接端；所述E極連接端的固定端與所述1號連接板的一端連接；所述2號圓筒電容器連接端的固定端與所述1號連接板的另一端連接；所述E極連接端與所述2號圓筒電容器連接端平行；所述E極連接端的凸出端與所述2號圓筒電容器連接端的凸出端的凸出方向相反；

所述1號疊層母排的E極連接端與所述3號壓接金屬塊連接；所述2號圓筒電容器連接端與所述2號圓筒電容器的一端連接。

5.根據權利要求4所述的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述2號疊層母排包括C極連接端、2號連接板以及1號圓筒電容器連接端；所述C極連接端的固定端與所述2號連接板的一端連接；所述1號圓筒電容器連接端的固定端與所述2號連接板的另一端連接；所述C極連接端與所述1號圓筒電容器連接端平行；所述C極連接端的凸出端與所述1號圓筒電容器連接端的凸出端的凸出方向相同；

所述2號疊層母排的C極連接端與所述4號壓接金屬塊連接；所述1號圓筒電容器連接端與所述1號圓筒電容器的一端連接。

6.根據權利要求5所述的一體化疊層母排結構，其特征在于，所述疊層母排組還包括：絕緣板；所述絕緣板夾在所述1號疊層母排和所述2號疊層母排之間。