[發明專利]一種提高MIM電容高頻可靠性的版圖結構及其實現方法

有效

• 申請號: 202010021181.1
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111192873B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 陳志堅;陳鴻;鄭彥祺;李斌
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/64;H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 廣州海心聯合專利代理事務所(普通合伙) 44295
• 代理人: 黃為;冼俊鵬

1.一種提高MIM電容高頻可靠性的版圖結構，包括襯底，其特征在于，所述襯底設有N型摻雜區域，在N型摻雜區域邊界內的上方層疊設置若干金屬層，相鄰金屬層之間通過絕緣體隔離；除了最頂層之外的所有金屬層均通過至少一過孔互相電性連通；最頂層的金屬層設有第一接線端子、最底層的金屬層設有第二接線端子、N型摻雜區域設有第三接線端子；所述的襯底為P型襯底；所述的襯底設有第四接線端子；所述第二接線端子作為MIM電容的輸出端，所述第一接線端子作為MIM電容的輸入端，所述第三接線端子用于外接電源VDD，所述第四接線端子用于接地。

2.根據權利要求1所述提高MIM電容高頻可靠性的版圖結構，其特征在于，所述襯底的介電常數大于N型摻雜區域的介電常數。

3.根據權利要求1-2任一所述提高MIM電容高頻可靠性的版圖結構，其特征在于，所述的N型摻雜區域為N阱或深N阱。

4.一種提高MIM電容高頻可靠性的版圖結構的實現方法，其特征在于，利用N型摻雜工藝，在襯底的N型摻雜區域邊界內的上方畫上若干層疊設置的金屬層，使得相鄰金屬層之間通過絕緣體隔離且除了最頂層之外的所有金屬層均通過至少一過孔互相電性連通；在畫最底層的金屬層時引出第二接線端子，畫最頂層的金屬層時引出第一接線端子，在N型摻雜區域引出第三接線端子和在襯底上引出第四接線端子；所述的襯底為P型襯底；所述的襯底設有第四接線端子；所述第二接線端子作為MIM電容的輸出端，所述第一接線端子作為MIM電容的輸入端，所述第三接線端子用于外接電源VDD，所述第四接線端子用于接地。

5.根據權利要求4所述的實現方法，其特征在于，所述的N型摻雜區域為N阱或深N阱；所述的N型摻雜工藝為N阱工藝或深N阱工藝。