[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010020772.7
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111463237A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 深沢孝之
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;陳亞男

提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括：基底，包括第一像素區(qū)域和與第一像素區(qū)域相鄰的第二像素區(qū)域；電路器件層，位于基底上；第一發(fā)光器件模塊，位于電路器件層上，第一發(fā)光器件模塊包括與第一像素區(qū)域疊置以顯示第一顏色的第一發(fā)光器件；以及第二發(fā)光器件模塊，位于第一發(fā)光器件模塊上，第二發(fā)光器件模塊具有與第一像素區(qū)域疊置的第一像素穿透孔，第二發(fā)光器件模塊還包括與第二像素區(qū)域疊置以顯示與第一顏色不同的第二顏色的第二發(fā)光器件。

本申請要求于2019年1月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0006956號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種顯示設(shè)備和制造該顯示設(shè)備的方法，具體地，涉及一種高分辨率顯示設(shè)備和制造該高分辨率顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)

在顯示設(shè)備之中，由于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有諸如大的視角、良好的對比度特性和快的響應(yīng)速度的各種技術(shù)特征，所以有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備正在成為下一代顯示設(shè)備。

通常，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括位于基底上的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光器件。用作自發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光器件中的每個(gè)包括像素電極、與像素電極相對的對電極以及像素電極與對電極之間的發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備用作小尺寸產(chǎn)品(諸如移動電話)的顯示單元或大尺寸產(chǎn)品(諸如電視機(jī))的顯示單元。

在全彩色顯示有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的情況下，像素區(qū)域發(fā)射不同顏色的光，并且沉積掩模被用于形成每個(gè)像素中的發(fā)光層和對電極，發(fā)光層和對電極均在多個(gè)像素中被設(shè)置為單個(gè)對象。隨著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的分辨率增大，用于沉積工藝的掩模的開口狹縫的寬度減小，并且期望減小狹縫的分散。為了制造高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，期望減少或去除陰影效應(yīng)。

然而，通過使用掩模的沉積工藝來實(shí)現(xiàn)高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的難度越來越大。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實(shí)施例提供了一種高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，一種顯示設(shè)備包括：基底，包括第一像素區(qū)域和與第一像素區(qū)域相鄰的第二像素區(qū)域；電路器件層，位于基底上；第一發(fā)光器件模塊，位于電路器件層上，第一發(fā)光器件模塊包括與第一像素區(qū)域疊置以顯示第一顏色的第一發(fā)光器件；以及第二發(fā)光器件模塊，位于第一發(fā)光器件模塊上，第二發(fā)光器件模塊具有與第一像素區(qū)域疊置的第一像素穿透孔，第二發(fā)光器件模塊還包括與第二像素區(qū)域疊置以顯示與第一顏色不同的第二顏色的第二發(fā)光器件。

在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光器件包括第一像素電極、與第一像素電極相對的第一對電極以及位于第一像素電極與第一對電極之間的第一發(fā)光層，第一發(fā)光器件模塊還包括不與第一像素區(qū)域疊置的第一非發(fā)射層，并且其中，第一非發(fā)射層和第一發(fā)光層構(gòu)成單個(gè)對象。

在一些實(shí)施例中，第一非發(fā)射層包括與第一發(fā)光層的第二材料不同的第一材料。在一些實(shí)施例中，包括在第一非發(fā)射層中的第一材料和包括在第一發(fā)光層中的第二材料具有彼此不同的分子結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，第一非發(fā)射層包圍第一發(fā)光層。在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光器件還包括第一保護(hù)層，第一保護(hù)層位于第一對電極上并包括絕緣材料。

在一些實(shí)施例中，與第二像素區(qū)域疊置的第二像素穿透孔位于第一發(fā)光器件模塊中。在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光器件模塊還包括位于第一發(fā)光器件下方以支撐第一發(fā)光器件的第一基底，其中，第二像素穿透孔穿透第一基底。在一些實(shí)施例中，第一非發(fā)射層與第二像素區(qū)域疊置。在一些實(shí)施例中，電路器件層包括連接到第一發(fā)光器件模塊的晶體管，并且第一像素電極通過像素接觸孔連接到晶體管，像素接觸孔位于第一像素區(qū)域外部并且穿透第一發(fā)光器件模塊和第二發(fā)光器件模塊。