[發(fā)明專利]目標(biāo)圖形修正、掩膜版制作及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010020264.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113093469A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王占雨;舒強(qiáng);覃柳莎;張迎春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/36 | 分類號(hào): | G03F1/36;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 目標(biāo) 圖形 修正 掩膜版 制作 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 形成 方法 | ||
1.一種目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,包括:
提供目標(biāo)圖形,且所述目標(biāo)圖形沿第一方向延伸;
將所述目標(biāo)圖形劃分為一個(gè)第一中心區(qū)以及分別位于所述第一中心區(qū)兩側(cè)的兩個(gè)第一邊緣區(qū);
將各所述第一邊緣區(qū)的目標(biāo)圖形的邊緣分割為若干待補(bǔ)償邊;
獲取刻蝕偏移模型;
根據(jù)刻蝕偏移模型對(duì)每個(gè)待補(bǔ)償邊分別進(jìn)行第一補(bǔ)償修正,得到第一補(bǔ)償邊。
2.如權(quán)利要求1所述的目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,當(dāng)所述目標(biāo)圖形沿第一方向上的尺寸大于預(yù)設(shè)值時(shí),將所述目標(biāo)圖形劃分為一個(gè)第一中心區(qū)和兩個(gè)第一邊緣區(qū)的方法包括:獲取所述目標(biāo)圖形第一方向上的尺寸llong;在所述目標(biāo)圖形中獲取第一中心區(qū),所述第一中心區(qū)沿第一方向上的尺寸l1,且l1為大于等于最小分割值lmin;在所述目標(biāo)圖形中獲取第一邊緣區(qū),所述第一邊緣區(qū)沿第一方向上的尺寸為l0,且滿足l0=(llong-l1)/2。
3.如權(quán)利要求2所述的目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,將各所述第一邊緣區(qū)目標(biāo)圖形的邊緣分割為若干待補(bǔ)償邊的方法包括:沿第一方向上,將所述第一邊緣區(qū)的目標(biāo)圖形的邊緣分割為N個(gè)待補(bǔ)償邊,且N取llong/lmin的整數(shù)值;在所述若干待補(bǔ)償邊中獲取第一待補(bǔ)償邊,所述第一待補(bǔ)償邊為在第一方向上到第一中心區(qū)距離最遠(yuǎn)的待補(bǔ)償邊,且所述第一待補(bǔ)償邊的尺寸為l0-(N-1)lmin,第一待補(bǔ)償邊以外的(N-1)個(gè)待補(bǔ)償邊的尺寸均為最小分割值lmin。
4.如權(quán)利要求3所述的目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,所述刻蝕偏移模型包括:第一修正模型和第二修正模型;獲取所述刻蝕偏移模型的方法包括:提供第二測(cè)試圖形,在第一方向上所述第二測(cè)試圖形的尺寸大于預(yù)設(shè)值;以所述第二測(cè)試圖形為掩膜,進(jìn)行曝光工藝、顯影工藝以及蝕刻工藝之后,得到第二蝕刻圖形;將所述第二蝕刻圖形劃分為一個(gè)第二中心區(qū)以及分別位于所述第一中心區(qū)兩側(cè)的兩個(gè)第二邊緣區(qū),且所述第二邊緣區(qū)的尺寸為l0;將各第二邊緣區(qū)沿第一方向分割為若干分割圖形,在所述若干分割圖形中,到第二中心區(qū)距離最遠(yuǎn)的分割圖形為第一分割圖形,所述第一分割圖形沿第一方向的尺寸l0-(N-1)lmin;測(cè)量所述第一分割圖形的尺寸CDAEI_end;獲取CDAEI;根據(jù)CDAEI_end和CDAEI,得到第一修正模型為,
f(1)=CDAEI_end-CDAEI;
根據(jù)所述第一修正模型f(1),得到第二修正模型為,
且2≤x≤N,N為大于等于2的自然數(shù)。
5.如權(quán)利要求4所述的目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,所述第一補(bǔ)償修正的方法包括:根據(jù)第一修正模型,對(duì)各第一邊緣區(qū)的第一待補(bǔ)償邊進(jìn)行補(bǔ)償修正;根據(jù)第二修正模型,對(duì)第一邊緣區(qū)的第x段待補(bǔ)償邊進(jìn)行補(bǔ)償修正,且2≤x≤N,N為大于等于2的自然數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的目標(biāo)圖形的修正方法,其特征在于,當(dāng)所述目標(biāo)圖形沿第一方向上的尺寸小于預(yù)設(shè)值時(shí),將所述目標(biāo)圖形劃分為一個(gè)第一中心區(qū)和兩個(gè)第一邊緣區(qū)的方法包括:獲取所述目標(biāo)圖形第一方向上的尺寸lshort;在所述目標(biāo)圖形中獲取第一中心區(qū),所述第一中心區(qū)沿第一方向上的尺寸l3,且l3等于最小分割值lmin;在所述目標(biāo)圖形中獲取第一邊緣區(qū),所述第一邊緣區(qū)沿第一方向上的尺寸為l2,且滿足l2=(lshort-l3)/2。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 目標(biāo)檢測(cè)裝置、學(xué)習(xí)裝置、目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)及目標(biāo)檢測(cè)方法
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- 目標(biāo)跟蹤系統(tǒng)及目標(biāo)跟蹤方法





