[發(fā)明專利]長(zhǎng)方體狀單晶及制造方法、陶瓷及制造方法、壓電元件、壓電裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010019970.1
• 申請(qǐng)日: 2016-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111197180A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邊隆之;村上俊介;久保田純
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B29/30
• 分類號(hào): C30B29/30;C30B9/00;C04B35/495;H01L41/187
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉強(qiáng)

1.含有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈮酸鈉作為主要成分的長(zhǎng)方體狀單晶，其中

該長(zhǎng)方體狀單晶以每摩爾該鈮酸鈉0.05摩爾-0.15摩爾的量含有鉍，

該長(zhǎng)方體狀單晶的Na/Nb比為0.82-1.00，并且

該長(zhǎng)方體的最長(zhǎng)邊長(zhǎng)度L_max與最短邊長(zhǎng)度L_min之比L_max/L_min在4.0≤L_max/L_min≤8.5的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有鈮酸鈉作為主要成分的長(zhǎng)方體狀單晶，其中，L_max為9.4μm-20μm。

3.陶瓷，其通過(guò)將含有根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含有鈮酸鈉作為主要成分的長(zhǎng)方體狀單晶的生坯燒結(jié)而得到。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷，其中該陶瓷在(110)面或(001)面取向。

5.壓電元件，包括：

第一電極；

壓電材料部；和

第二電極，其中構(gòu)成該壓電材料部的壓電材料為根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷。

6.壓電裝置，包括：

根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電元件；和

向該壓電元件的電壓施加單元和從該壓電元件的電力取出單元中的至少一個(gè)。

7.電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電元件。

8.長(zhǎng)方體狀單晶粉末，其含有：多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的長(zhǎng)方體狀單晶。