[發明專利]一種基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片

在審

• 申請號: 202010019960.8
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113109293A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 郎婷婷;王鋼棋
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: G01N21/41
• 分類號: G01N21/41;B01L3/00
• 代理公司: 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901
• 代理人: 張海青

1.一種基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片，其特征在于：包括全金屬超材料層(1)、微流通道(2)；

所述全金屬超材料層(1)表面加工若干個成周期排布的鏤空圖案，所述鏤空圖案作為傳感器單元使用；

所述微流通道(2)包括微流通道液體入口(4)、微流通道中間部分(3)和微流通道液體出口(5)，所述微流通道中間部分(3)的一端與所述微流通道液體入口(4)連接，所述微流通道中間部分(3)的另一端與所述微流通道液體出口(5)連接，并且三者形成一個物理上連通的整體；

所述微流通道(2)附著在所述全金屬超材料層(1)表面上并且覆蓋所述鏤空圖案。

2.根據權利要求1所述的基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片，其特征在于：所述全金屬超材料層(1)材料為不銹鋼，所述鏤空圖案成周期排布。

3.根據權利要求1所述的基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片，其特征在于：所述鏤空圖案為一個正方形單元加一個長方形單元再加一個正方形單元形成的鏤空啞鈴圖案。

4.根據權利要求1所述的基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片，其特征在于：所述微流通道(2)由聚二甲基硅氧烷材料PDMS采用軟刻蝕技術制成。

5.根據權利要求1所述的基于太赫茲全金屬超材料的微流傳感芯片，其特征在于：所述微流通道液體入口(4)與所述微流通道液體出口(5)通過沖洗工藝制成。

6.根據權利要求1所述的基于太赫茲全金屬超材料，其特征在于：所述微流傳感芯片工作波段為太赫茲波段，當電場方向沿著TE波入射時，產生一個磁環偶極子和一個電偶極子，兩者發生干涉產生一個透射峰，待測液體從所述微流通道液體入口(4)進入，與所述全金屬超材料層(1)直接接觸后再從所述微流通道液體出口(5)流出，通過對透射峰峰值波長漂移的檢測能夠實現對待測液體折射率的檢測。