[發(fā)明專利]一種掩膜版圖形的修正方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010018891.9
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN113093472A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柏鋒;張婉娟;王英芳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種掩膜版圖形的修正方法，其中，包括：提供目標版圖，所述目標版圖包括若干主圖形；沿第一方向?qū)⑺瞿繕税鎴D分為若干第一區(qū)；獲取每個所述第一區(qū)的位置信息；根據(jù)每個所述第一區(qū)的位置信息獲取該第一區(qū)的第一模型；根據(jù)所述第一模型獲取所述第一區(qū)內(nèi)的每個所述主圖形周圍的輔助圖形的圖形參數(shù)；根據(jù)每個所述主圖形的輔助圖形的圖形參數(shù)，在每個主圖形周圍設(shè)置所述主圖形的輔助圖形。所述掩膜版圖形的修正方法能夠使輔助圖形不易被曝光。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版圖形的修正方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造中，隨著設(shè)計尺寸的不斷縮小，設(shè)計尺寸已經(jīng)接近或者小于光刻過程中使用的光波波長，光的衍射效應(yīng)和干涉效應(yīng)變得越來越明顯，導(dǎo)致實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發(fā)生嚴重畸變。

在一個設(shè)計中，芯片圖形的密集度具有很大的任意性。理論和實驗結(jié)果都清楚地表明，密集分布圖形的光刻工藝窗口與稀疏圖形的光刻工藝窗口是不一樣的，這就導(dǎo)致了共同的工藝窗口偏小。適用于密集圖形曝光的光照條件并不適合稀疏圖形的曝光。在設(shè)計中添加曝光輔助圖形可以解決這一技術(shù)難題。

曝光輔助圖形是一些很細小的圖形，它們被放置在稀疏設(shè)計圖形的周圍，使稀疏圖形在光學(xué)的角度上看像密集圖形。這些輔助圖形的最小尺寸必須小于光刻機的分辨率。在曝光時，它們只對光線起散射作用，而不應(yīng)該在光刻膠上形成圖像。因此，曝光輔助圖形也叫亞分辨率的輔助圖形(sub-resolution assistant feature，SRAF)或散射條(scattering bar)。

然而，由于芯片圖形的設(shè)計尺寸越來越小，導(dǎo)致芯片圖形的關(guān)鍵尺寸(CriticalDimension，CD)與輔助圖形的關(guān)鍵尺寸非常接近，從而在曝光過程中，不僅芯片圖形被曝光形成光刻圖案，輔助圖形也非常容易被曝光，導(dǎo)致輔助圖形在光刻膠上形成圖像，從而在光刻膠上形成的實際圖形變得和設(shè)計圖形不同。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種掩膜版圖形的修正方法，從而使輔助圖形不易被曝光。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種掩膜版圖形的修正方法，包括：提供目標版圖，所述目標版圖包括若干主圖形；沿第一方向?qū)⑺瞿繕税鎴D分為若干第一區(qū)；獲取每個所述第一區(qū)的位置信息；根據(jù)每個所述第一區(qū)的位置信息獲取該第一區(qū)的第一模型；根據(jù)所述第一模型獲取所述第一區(qū)內(nèi)的每個所述主圖形周圍的輔助圖形的圖形參數(shù)；根據(jù)每個所述主圖形的輔助圖形的圖形參數(shù)，在每個主圖形周圍設(shè)置所述主圖形的輔助圖形。

可選的，獲取每個所述第一區(qū)的位置信息的方法包括：設(shè)置坐標軸，所述坐標軸包括沿所述第一方向的第一坐標軸；獲取每個所述第一區(qū)的中心點在所述第一坐標軸上的坐標。

可選的，所述第一模型包括對所述第一區(qū)內(nèi)的目標版圖進行曝光的光場信息，所述光場信息包括入射光的方位角。