[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010017539.3
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111123596B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶曉輝
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/02;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

本發(fā)明提供一種顯示面板及顯示裝置，通過在所述測試區(qū)設(shè)置靜電釋放區(qū)，并且在所述靜電釋放區(qū)設(shè)置通孔，使得所述靜電釋放區(qū)與所述主測試區(qū)相鄰的部位設(shè)置成梳齒狀，并且，梳齒的寬度小于測試線的寬度，使得靜電釋放區(qū)的電阻小于測試線的電阻，從而將測試區(qū)內(nèi)積累的靜電優(yōu)先在靜電釋放區(qū)釋放，從而避免測試區(qū)內(nèi)積累的靜電在測試線路上和主測試區(qū)釋放，有效保護(hù)測試區(qū)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示裝置可以把計算機(jī)的數(shù)據(jù)變換成各種文字、數(shù)字、符號或直觀的圖像顯示出來，并且可以利用鍵盤等輸入工具把命令或數(shù)據(jù)輸入計算機(jī)，借助系統(tǒng)的硬件和軟件隨時增添、刪改、變換顯示內(nèi)容。顯示裝置根據(jù)所用之顯示器件分為等離子、液晶、發(fā)光二極管和陰極射線管等類型。

LCD(英文全稱：Liquid Crystal Display，液晶顯示器)。液晶顯示器是以液晶材料為基本組件，在兩塊平行板之間填充液晶材料，通過電壓來改變液晶材料內(nèi)部分子的排列狀況，以達(dá)到遮光和透光的目的來顯示深淺不一，錯落有致的圖象，而且只要在兩塊平板間再加上三原色的濾光層，就可實(shí)現(xiàn)彩色圖象的顯示。

有源矩陣式薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示是指使用TFT作為像素開關(guān)的液晶顯示技術(shù)。對于TFT器件，起核心作用的是半導(dǎo)體有源層，目前主流的材料為非晶硅(Amorphous Silicon，a-Si)和多晶硅(Polycrystalline Silicon,p-Si)。其中，低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor，LTPS-TFT)具有制備溫度低，載流子遷移率高，器件尺寸小等突出優(yōu)點(diǎn)，是發(fā)展低功耗、高集成度顯示面板的關(guān)鍵技術(shù)。

為有效檢出中小尺寸顯示面板的顯示功能，一般會在TFT基板端子區(qū)設(shè)置Testcircuit。Test circuit設(shè)計多組測試襯墊，當(dāng)TFT基板和CF基板組立成盒后，利用探針將測試信號接入測試襯墊，即可對面板點(diǎn)亮，實(shí)現(xiàn)檢測顯示功能的目的。

LTPS-TFT陣列基板的制作需經(jīng)歷成膜、光刻、清洗等多道工藝，涉及多種制程機(jī)臺。在生產(chǎn)過程中，陣列基板與制程機(jī)臺的摩擦接觸極易導(dǎo)致靜電積累，由于測試襯墊結(jié)構(gòu)上包含大面積金屬和非金屬疊層結(jié)構(gòu)更容易發(fā)生靜電積累和靜電釋放(ElectrostaticDischarge,ESD)，由于測試襯墊的面積越大，抵抗靜電釋放損傷能力較強(qiáng)，但與之相連的測試線路很細(xì)，因此靜電釋放極易發(fā)生在與之相連的測試線路上，靜電釋放的瞬間熱量很高，足以熔斷測試線，進(jìn)而導(dǎo)致測試功能失效。因此需要尋求一種新型的顯示面板以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是提供一種陣列基板，其能夠避免靜電釋放發(fā)生在與測試襯墊相連的測試線路上，保護(hù)測試線路及測試襯墊不被熔斷，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)測試功能。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，其包括測試區(qū)，所述測試區(qū)包括主測試區(qū)和靜電釋放區(qū)。所述測試區(qū)包括：第一金屬層，其包括測試線；第二金屬層，設(shè)置于所述第一金屬層上；以及ITO層，設(shè)置于所述第二金屬層上；第一通孔，貫穿所述第一金屬層，第二通孔，貫穿所述第二金屬層，且與第一通孔相對設(shè)置；第三通孔，貫穿所述ITO層，且與第二通孔相對設(shè)置。

進(jìn)一步的，其中所述第一通孔位于所述靜電釋放區(qū)內(nèi)，且與所述主測試區(qū)相鄰。

進(jìn)一步的，其中所述第一通孔包括2個或2個以上的數(shù)量，所述第一通孔相互間隔排列。

進(jìn)一步的，其中所述第一通孔排列在同一直線上。

進(jìn)一步的，其中所述測試區(qū)還包括導(dǎo)電區(qū)，其為相鄰兩個所述第一通孔之間的測試區(qū)；所述導(dǎo)電區(qū)的寬度小于所述測試線的寬度。

進(jìn)一步的，其中所述靜電釋放區(qū)的電阻小于所述測試線的電阻。