[發明專利]一種TFT陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 202010017381.X
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111090199B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 曹武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括呈陣列分布的多個子像素區；在目標方向上任意相鄰的兩個所述子像素區包括第一子像素區和第二子像素區，所述第一子像素區和所述第二子像素區之間設有走線區，所述第一子像素區和所述走線區之間形成有第一間隙區，所述第二子像素區和所述走線區之間形成有第二間隙區；

所述第一子像素區設有第一色阻，且所述第一色阻自所述第一子像素區延伸至所述第二間隙區內；所述第二子像素區設有第二色阻，所述第二色阻自所述第二子像素區延伸至所述第一間隙區內；所述第一色阻和所述第二色阻在所述第一間隙區、所述走線區和所述第二間隙區內交疊設置；

所述第一色阻和所述第二色阻的交疊部分在所述目標方向上的長度小于或等于所述第一間隙區、所述走線區和所述第二間隙區在所述目標方向上的總長度；所述第一色阻在所述第二間隙區的延伸長度大于或等于所述第二間隙區在所述目標方向上的長度的二分之一；所述第二色阻在所述第一間隙區的延伸長度大于或等于所述第一間隙區在所述目標方向上的長度的二分之一。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一色阻在所述第一間隙區、所述走線區和所述第二間隙區內設有挖空部；所述第二色阻與所述第一色阻交疊的部分填充在所述挖空部中。

3.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一色阻包括紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻中的任意一種，所述第二色阻包括所述紅色色阻、所述綠色色阻和所述藍色色阻中不同于所述第一色阻的任意一種。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述走線區對應設有數據線和DBS電極；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述數據線和所述DBS電極之間；

所述第一間隙區設有第一屏蔽電極，所述第一屏蔽電極位于所述第一色阻遠離所述DBS電極的一側；所述第二間隙區設有第二屏蔽電極，所述第二屏蔽電極位于所述第二色阻遠離所述DBS電極的一側；

所述第一屏蔽電極與所述第一子像素區在所述目標方向上的間距小于或等于所述第二色阻與所述第一子像素區在所述目標方向上的間距；且所述第二屏蔽電極與所述第二子像素區在所述目標方向上的間距小于或等于所述第一色阻與所述第二子像素區在所述目標方向上的間距。

5.如權利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一子像素區對應設有第一子像素電極，所述第二子像素區對應設有第二子像素電極，所述第一子像素電極、所述第二子像素電極與所述DBS電極同層設置。

6.如權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括襯底基板、絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層；

所述第一屏蔽電極位于所述襯底基板的第一間隙區上，所述第二屏蔽電極位于所述襯底基板的第二間隙區上；所述絕緣層覆蓋在所述襯底基板、所述第一屏蔽電極和第二屏蔽電極上；所述數據線設置在所述絕緣層的走線區上；所述第一鈍化層覆蓋在所述絕緣層和所述數據線上；所述第一色阻和所述第二色阻位于所述第一鈍化層上；所述第二鈍化層覆蓋在所述第一色阻和所述第二色阻上；所述第一子像素電極、所述DBS電極和所述第二子像素電極位于所述第二鈍化層上。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至6任意一項所述的TFT陣列基板，以及與所述TFT陣列基板相對設置的對置基板。