[發明專利]一種反極性AlGaInP薄膜LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202010017131.6
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111129250A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 吳小明;陳芳;陶喜霞;王光緒;李樹強;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/30;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種反極性AlGaInP薄膜LED芯片，從下至上依次包括：基板、鍵合金屬層、P面電極、P型歐姆接觸層、P型電流擴展層、發光層、N型電流擴展層、N型歐姆接觸層、N面電極，其特征在于：所述N型電流擴展層為Al組份x滿足0.1≤x≤0.5的(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P材料。

2.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面電極包括焊盤和N面擴展電極線，N面擴展電極線按間距型平行線、方環型或圓環型排列中的一種。

3.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面擴展電極線間距為W，120μm≤W≤200μm。

4.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面電極為AuGeNi，其中：Ni的重量比為0-10%，Ge的重量比為1‰-10%，AuGeNi的總厚度為1μm-5μm。

5.一種反極性AlGaInP薄膜LED芯片的制備方法，特征是：包括以下步驟：

（1）在臨時襯底GaAs上外延生長腐蝕截止層、N型歐姆接觸層，N型電流擴展層、發光層、P型電流擴展層，P型歐姆接觸層；

（2）按常規方法制備P面電極、制備鍵合金屬層、與永久基板鍵合、去除臨時襯底、去除腐蝕截止層、粗化、制備切割道、制備N面電極。

6.根據權利要求5所述的反極性AlGaInP薄膜LED芯片的制備方法，其特征在于：在步驟（2）中，N面電極利用電子束蒸發或濺射方法制備在N型歐姆接觸層上，N面擴展電極線間距為120μm-200μm。