[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010017050.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112420886A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 菅原秀人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具備：

基板、和

多量子阱層，該多量子阱層設(shè)置于所述基板上，且包含3個(gè)以上的InGaAs阱層和夾在2個(gè)InGaAs阱層中的多個(gè)勢(shì)壘層，

所述多個(gè)勢(shì)壘層包含混晶比不同的至少2個(gè)區(qū)域或厚度不同的至少2個(gè)區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)勢(shì)壘層包含GaAsP或AlGaAsP。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)勢(shì)壘層的P混晶比沿著層疊方向而連續(xù)地增大。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)勢(shì)壘層的P混晶比高的第一區(qū)域?qū)盈B于P混晶比低的第二區(qū)域的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在所述第一區(qū)域中P混晶比沿著層疊方向而連續(xù)地增大，在所述第二區(qū)域中P混晶比沿著層疊方向而恒定。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在所述第一區(qū)域中P混晶比沿著層疊方向而恒定，在所述第二區(qū)域中P混晶比沿著層疊方向而恒定。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述基板包含GaAs、InP、Si、Ge及Al₂O₃中的任一者。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其進(jìn)一步具備設(shè)置于所述基板與所述多量子阱層之間的基底層，

所述基板包含InP、GaP、Si、Ge及氧化膜中的任一者，

所述基底層包含含有In、Ga、Al、P及As中的任一者的化合物半導(dǎo)體、Si、Ge及氧化膜中的任一者。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述基板被設(shè)定為包含Si、Ge、氧化膜及金屬中的任一者的支撐基板，

所述多量子阱層的層疊方向按照朝向所述基板的方式排列。