[發(fā)明專利]一種高純度超薄碳化硅襯底制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010016697.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111197181B | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王丕龍;王新強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B33/02 | 分類號(hào)： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42258 | 代理人： | 沙莎 |
| 地址： | 266000 山東省青島市城陽(yáng)*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 純度 超薄 碳化硅 襯底 制備 方法 | ||
1.一種高純度超薄碳化硅襯底制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、選料：取三組等份的碳化硅原料，經(jīng)氣流粉末磨粉機(jī)破碎處理，將破碎后的碳化硅原料通過直線振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，其中，所述碳化硅原料的流動(dòng)性指數(shù)為80-90之間；
S2、攪拌：將步驟S1得到的碳化硅原料加入攪拌桶，并加入等量去離子水?dāng)嚢杈鶆颍?/p>
S3、除雜：將三組等份的碳化硅原料裝入密封腔內(nèi)，并抽取真空、除雜后充入保護(hù)氣體；
S4、加熱準(zhǔn)備：將經(jīng)過篩選后的原料按照粒徑從大到小分為三組，并分別盛入三個(gè)坩堝，將三個(gè)坩堝放入長(zhǎng)晶爐內(nèi)；
S5、加熱：按照一定加熱方式對(duì)三個(gè)坩堝分別加熱，
所述加熱方式分為三個(gè)階段，具體是，
S501、第一階段：在溫度為1300℃-1400℃、壓力位450-550托的條件下維持20-28分鐘；
S502、第二階段：壓力為550-650托，將溫度升高至1800℃-2000℃，維持20分鐘；
S503、第三階段：壓力增加到700托，溫度不變，維持10分鐘；
S6、退火準(zhǔn)備：取出經(jīng)過步驟S5加熱后的碳化硅單晶體，放入高溫退火爐腔室；
S7、退火：將高溫退火爐腔室的升溫速率設(shè)定為40-80℃/秒，設(shè)定退火溫度為1500-2000℃，設(shè)定退火時(shí)間為600-800秒，并通入惰性氣體作為保護(hù)氣體；
S8、冷卻，將步驟S7得到的碳化硅單晶體襯底快速拉出高溫退火爐腔室，進(jìn)行迅速降溫，降溫速率180-200攝氏度/秒；
其中，所述溫度為坩堝內(nèi)上部的氣態(tài)碳化硅原料的溫度。
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