[發(fā)明專(zhuān)利]形成半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010015967.2
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111435816A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 市川淳啟;豬飼啓太
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M3/07
• 分類(lèi)號(hào): H02M3/07;H02M1/44
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

本發(fā)明題為“形成半導(dǎo)體器件的方法”。在一個(gè)實(shí)施方案中，一種用于高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的控制電路形成交替信號(hào)以控制存儲(chǔ)模式和保持模式。該控制電路的實(shí)施方案存儲(chǔ)大于輸入電壓的電壓，這導(dǎo)致對(duì)于所述周期中的一個(gè)周期的至少一部分存儲(chǔ)大量電荷。該電荷用對(duì)于所述周期中的另一周期的至少一部分向該驅(qū)動(dòng)器供應(yīng)操作電壓。

對(duì)現(xiàn)有臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)要求

本申請(qǐng)要求之前于2019年1月14日提交的發(fā)明名稱為“形成半導(dǎo)體器件的方法(METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE)”的臨時(shí)申請(qǐng)No.62/791,961的優(yōu)先權(quán)，該臨時(shí)申請(qǐng)案卷號(hào)為ONS03144L01US，并且具有共同發(fā)明人Ichikawa等人，據(jù)此將該文獻(xiàn)以引用方式并入本文。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)涉及案卷編號(hào)為ONS03155US的發(fā)明名稱為“形成半導(dǎo)體器件的方法(METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE)”的申請(qǐng)，該申請(qǐng)具有共同轉(zhuǎn)讓人以及發(fā)明人Ichikawa等人，該申請(qǐng)與本申請(qǐng)同時(shí)提交，并據(jù)此將該申請(qǐng)以引用方式并入本文。

背景技術(shù)

本發(fā)明整體涉及電子器件，并且更具體地講，涉及半導(dǎo)體、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成半導(dǎo)體器件的方法。

過(guò)去，半導(dǎo)體工業(yè)利用各種電路和方法來(lái)控制按照H橋或半H橋配置進(jìn)行配置的開(kāi)關(guān)或晶體管。這些類(lèi)型的配置一般被用到各種應(yīng)用中，包括電源控制器、升壓模式電源控制器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器和其他電路。控制電路一般需要高電壓才能啟用H橋或半H橋配置的一個(gè)或多個(gè)高側(cè)晶體管。例如，N溝道晶體管通常需要較高的電壓。

一些控制電路利用自舉電路提供高電壓。一些其他電路利用電荷泵電路來(lái)產(chǎn)生高電壓。這兩種配置一般都需要外部電容器，因?yàn)殡娙萜鞅仨毦哂写蟮闹狄员愎?yīng)足以驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。在一些實(shí)施方案中，電容器被集成到半導(dǎo)體器件上，這些集成電容器占據(jù)半導(dǎo)體器件上的大面積并且給半導(dǎo)體器件增加了附加成本。

此外，自舉電路配置經(jīng)常不能以基本上100％的占空比啟用高側(cè)晶體管。

因此，希望具有一種電路和方法，該電路和方法生成啟用晶體管所需的高電壓，能夠以基本上100％的占空比提供該高電壓，能夠使用較小值的電容器，占據(jù)半導(dǎo)體器件的較小面積，并且/或者降低電磁干擾生成的噪聲。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供給了一種用于高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的控制電路，包括：

控制電路，所述控制電路被配置用于形成用以控制高側(cè)晶體管的第一信號(hào)以及形成用以控制低側(cè)晶體管的第二信號(hào)，以由高電壓形成輸出電壓；

用于接收所述高電壓的第一輸入；

用于接收小于所述高電壓的輸入電壓的第二輸入；

第一電容器；

第二電容器；

第一驅(qū)動(dòng)器，所述第一驅(qū)動(dòng)器被耦接來(lái)接收所述第一信號(hào)并且被配置用于響應(yīng)于所述第一信號(hào)的生效狀態(tài)來(lái)啟用所述高側(cè)晶體管；

第二驅(qū)動(dòng)器，所述第二驅(qū)動(dòng)器被耦接來(lái)接收所述第二信號(hào)并且被配置用于響應(yīng)于所述第二信號(hào)的生效狀態(tài)來(lái)啟用所述低側(cè)晶體管；

電壓生成電路，所述電壓生成電路被配置用于針對(duì)所述第二信號(hào)的所述生效狀態(tài)的至少一部分，形成多個(gè)存儲(chǔ)周期，所述多個(gè)存儲(chǔ)周期中的第一存儲(chǔ)周期包括交替地對(duì)于所述第一存儲(chǔ)周期的第一部分基本上將所述輸入電壓存儲(chǔ)在所述第一電容器上以將第一電荷存儲(chǔ)在所述第一電容器上，以及隨后對(duì)于所述第一存儲(chǔ)周期的第二部分使所述第一電容器與所述輸入電壓串聯(lián)耦接以在所述第二電容器上形成第二電荷和第二電壓；并且