[發(fā)明專利]一種全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010015835.X
• 申請(qǐng)日: 2020-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN111180592B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦瑞平;郭得恩;胡梁浩;楊紀(jì)恩;宋健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 新鄉(xiāng)市平原智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 41139
• 代理人: 路寬

1.一種全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法，其特征在于具體過程為：在預(yù)先附有導(dǎo)電銦錫氧化物透明電極的導(dǎo)電基底上依次涂布負(fù)電荷傳輸層、涂布核心光敏層、蒸鍍正電荷萃取層和蒸鍍銀薄膜電極，再去除負(fù)極遮擋層，連接電極引線，封裝即得全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器，其中核心光敏層所用活性有機(jī)材料的結(jié)構(gòu)式如下所示：

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2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法，其特征在于：所述導(dǎo)電基底為銦錫氧化物ITO玻璃、氟錫氧化物FTO玻璃或銦錫氧化物ITO滌綸PET薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法，其特征在于具體步驟為：

步驟S1：在超凈室內(nèi)在一塊2.5cm×12cm的預(yù)先附有導(dǎo)電銦錫氧化物透明電極的1mm厚的玻璃上涂布氧化鋅納米溶膠溶液，于120℃干燥20分鐘形成負(fù)電荷傳輸層，再涂布活性有機(jī)材料的混合有機(jī)溶液，于120℃干燥10分鐘形成核心光敏層；

步驟S2：在手套箱內(nèi)在步驟S1制好的核心光敏層上真空蒸鍍正電荷萃取層，該正電荷萃取層的活性物質(zhì)為鉬的氧化物；

步驟S3：在手套箱內(nèi)在步驟S2制好的正電荷萃取層上真空蒸鍍純銀薄膜電極；

步驟S4：在手套箱內(nèi)將步驟S3制好的電極去除負(fù)極遮擋層，連接電極引線；

步驟S5：將步驟S4制好的每一片光電開關(guān)在手套箱內(nèi)水氧含量低于0.1ppm的條件下由環(huán)氧樹脂熱封機(jī)封裝即得全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法，其特征在于：所述負(fù)電荷傳輸層的厚度為30-50nm，核心光敏層的厚度為1-100nm，正電荷萃取層的厚度為8-10nm，銀薄膜電極的厚度為20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的全波長(zhǎng)360°可探測(cè)有機(jī)薄膜式光電探測(cè)器的制造方法，其特征在于：所述核心光敏層所用活性有機(jī)材料的合成路線為：

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