[發(fā)明專利]三維存儲器的制備方法及三維存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010015733.8
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111192878B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王健艫;曾明;楊星梅
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成犧牲層和絕緣層的交疊層，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)上依次形成蝕刻阻擋層和防護(hù)層，構(gòu)成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；其中，形成所述蝕刻阻擋層的材料和形成所述犧牲層的材料相同，形成所述防護(hù)層的材料和形成所述絕緣層的材料相同；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成柵極隔槽，所述柵極隔槽露出所述襯底；

在所述柵極隔槽中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

在所述防護(hù)層背向所述蝕刻阻擋層的一側(cè)形成連接層；

提供蝕刻劑蝕刻所述連接層以形成第一連接孔，所述第一連接孔露出與所述第一連接孔對應(yīng)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述“在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成柵極隔槽，所述柵極隔槽露出所述襯底”和所述“在所述柵極隔槽中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)”之間，所述制備方法包括：

在所述柵極隔槽露出所述蝕刻阻擋層的部分形成保護(hù)層，以覆蓋所述蝕刻阻擋層；

將所述堆疊結(jié)構(gòu)中的犧牲層替換成導(dǎo)體層。

3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述柵極隔槽露出所述蝕刻阻擋層的部分形成保護(hù)層，以覆蓋所述蝕刻阻擋層”包括：

在所述柵極隔槽的槽壁上形成保護(hù)層，其中，所述柵極隔槽靠近所述柵極隔槽開口的槽壁上的保護(hù)層的厚度大于遠(yuǎn)離所述柵極隔槽開口的槽壁上的保護(hù)層的厚度；

去除遠(yuǎn)離所述柵極隔槽開口的槽壁上的保護(hù)層。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還具有貫穿所述蝕刻阻擋層和所述堆疊結(jié)構(gòu)的溝道孔，所述溝道孔內(nèi)形成有NAND串。

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在所述“提供蝕刻劑蝕刻所述連接層以形成第一連接孔，所述第一連接孔露出與所述第一連接孔對應(yīng)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)”的同時，

提供蝕刻劑蝕刻所述連接層以形成第二連接孔，所述第二連接孔露出與所述第二連接孔對應(yīng)的所述NAND串，其中，所述蝕刻阻擋層用于阻隔所述蝕刻劑。

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一連接孔形成之后，在所述第一連接孔中填充導(dǎo)電材料。

7.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器包括襯底、堆疊結(jié)構(gòu)、蝕刻阻擋層、防護(hù)層和連接層，所述堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)于所述襯底上，所述蝕刻阻擋層和所述連接層依次設(shè)于所述堆疊結(jié)構(gòu)背向所述襯底的表面，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交疊設(shè)置的犧牲層和絕緣層，所述防護(hù)層設(shè)于所述蝕刻阻擋層和所述連接層之間，所述蝕刻阻擋層的材料和所述犧牲層的材料相同，所述防護(hù)層的材料和所述絕緣層的材料相同；所述三維存儲器具有貫穿所述防護(hù)層、所述蝕刻阻擋層和所述堆疊結(jié)構(gòu)的柵極隔槽，所述柵極隔槽中形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述連接層包括連接孔，所述連接孔中形成有導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱與其對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。

8.如權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，所述導(dǎo)電柱部分位于所述蝕刻阻擋層上。

9.如權(quán)利要求8所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括貫穿所述蝕刻阻擋層和所述堆疊結(jié)構(gòu)的溝道孔，所述溝道孔中形成有NAND串，所述連接層包括NAND連接孔，所述NAND連接孔中形成有NAND導(dǎo)電柱，所述NAND導(dǎo)電柱與其對應(yīng)的所述NAND串電連接，并部分位于所述蝕刻阻擋層上。