[發(fā)明專利]一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010015582.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN111211221B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟繼衛(wèi);華思聰;沈波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同濟(jì)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上?？剖⒅R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 顧艷哲

1.一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜，其特征在于，該納米相變薄膜的化學(xué)通式為Hf_x(Ge₅Sb₉₅)_1-x，其中，x為金屬Hf元素的原子百分比，且0x0.3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜，其特征在于，該納米相變薄膜的厚度為20-200nm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括：通過磁控濺射法將Ge₅Sb₉₅合金材料及Hf材料在基片上進(jìn)行納米量級(jí)復(fù)合，形成Hf_x(Ge₅Sb₉₅)_1-x(0x0.3)納米相變薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的基片為清潔干燥后的SiO₂/Si(100)基片；

所述的SiO₂/Si(100)基片的清潔干燥過程為：將SiO₂/Si(100)基片依次置于乙醇溶液、丙酮溶液及去離子水中，并分別進(jìn)行超聲清洗；之后再依次經(jīng)高純氮?dú)獯蹈伞⒏邷睾娓蛇^程后，得到清潔干燥后的SiO₂/Si(100)基片。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁控濺射法中，所用的靶材包括由下至上堆疊設(shè)置的Ge₅Sb₉₅合金靶材及Hf靶材。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的Ge₅Sb₉₅合金靶材為圓形靶材，所述的Hf靶材為扇形靶材，并且所述的Ge₅Sb₉₅合金靶材與Hf靶材同心設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的Hf靶材的半徑為10-15mm，厚度為2-4mm，圓心角為20-40°；

當(dāng)Ge₅Sb₉₅合金靶材上設(shè)有至少兩個(gè)Hf靶材時(shí)，Hf靶材等夾角均勻布設(shè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁控濺射法中，所用濺射氣體為氬氣，濺射氣體的流量為20-40SCCM，濺射氣體的壓力為0.1-0.3Pa，濺射功率為10-30W。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁控濺射法中，濺射速度為3-10s/nm，濺射時(shí)間為100-1000s。

10.如權(quán)利要求1或2所述的高穩(wěn)定性低功耗Hf-Ge-Sb納米相變薄膜在相變存儲(chǔ)器中的應(yīng)用，其特征在于，利用所述的納米相變薄膜非晶態(tài)時(shí)的高電阻率及晶態(tài)時(shí)的低電阻率實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄。