[發明專利]一種硅蝕刻劑及其應用

有效

• 申請號: 202010015570.3
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111518561B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 蔡墨勛
• 申請（專利權）人: 才將科技股份有限公司
• 主分類號: C09K13/00
• 分類號: C09K13/00;H01L21/306
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種硅蝕刻劑，其特征在于：該硅蝕刻劑包含至少一個縮酮類化合物和至少一個四級銨氫氧化物，以該硅蝕刻劑的總重量計，該縮酮類化合物所占的重量百分比是20～99重量％，該四級銨氫氧化物所占的重量百分比是0.1～10重量％，和該縮酮類化合物包含：2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲醇、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-乙醇、2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲基氯和2,2-二甲基-1,3-二氧戊環-4-甲胺。

2.根據權利要求1所述的硅蝕刻劑，其特征在于：以該硅蝕刻劑的總重量計，該縮酮類化合物所占的重量百分比是60～90重量％。

3.根據權利要求1所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該四級銨氫氧化物具有R⁵R⁶R⁷R⁸N⁺OH^-的結構通式，其中R⁵、R⁶、R⁷及R⁸可獨立為相同或不同的直鏈或分支的碳數1-4的烷基或碳數1-4的醇。

4.根據權利要求1所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該四級銨氫氧化物包含：氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化乙基三甲基銨和氫氧化2-羥基乙基三甲基銨。

5.根據權利要求1所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該硅蝕刻劑還包含一水性介質。

6.根據權利要求5所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該水性介質是水。

7.根據權利要求1所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該硅蝕刻劑是一具有硅/二氧化硅蝕刻的選擇比大于500:1的硅蝕刻劑。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的硅蝕刻劑，其特征在于：該硅蝕刻劑是應用在半導體納米制程的硅圖案蝕刻程序。

9.一種硅圖案的蝕刻方法，其特征在于：該硅圖案的蝕刻方法是使用如權利要求1～7中任一項所述的硅蝕刻劑。

10.根據權利要求9所述的硅圖案的蝕刻方法，其特征在于：該硅圖案的蝕刻方法是應用在半導體納米制程的蝕刻程序。