[發(fā)明專利]對(duì)半導(dǎo)體樣本中的缺陷進(jìn)行分類的方法及其系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010015021.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN111444934A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 基里爾·薩文科;阿薩夫·阿斯巴克;波阿斯·科恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料以色列公司
• 主分類號(hào): G06K9/62
• 分類號(hào): G06K9/62
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

一種用于對(duì)缺陷進(jìn)行分類的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述方法包括：接收經(jīng)分類的第一缺陷和潛在缺陷，每個(gè)第一缺陷和潛在缺陷具有屬性值；處理第一缺陷和潛在缺陷以選擇將第一缺陷與潛在缺陷區(qū)分開的屬性的子集；分別基于第一缺陷和潛在缺陷獲得第一函數(shù)和第二函數(shù)；獲得用于第一函數(shù)的第一閾值，以及用于第一函數(shù)和第二函數(shù)的組合的第二閾值；分別將第一函數(shù)和第二函數(shù)應(yīng)用于每個(gè)潛在缺陷以獲得第一得分和第二得分；以及確定第一得分和第二得分的組合得分；以及當(dāng)?shù)谝坏梅值陀谒龅谝婚撝祷蛘呓M合得分超過(guò)第二閾值時(shí)，將潛在缺陷指示為潛在新類別缺陷。

技術(shù)領(lǐng)域

目前公開的主題大致涉及樣本檢查領(lǐng)域，并且更具體地涉及能夠自動(dòng)檢測(cè)屬于新類別缺陷的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)

當(dāng)前對(duì)與制造器件的超大規(guī)模集成相關(guān)的高密度和性能的需求，要求亞微米特征、增加的晶體管和升高的電路速度以及改良的可靠性。這些需求要求形成具有高精度和均勻性的器件特征，繼而需要對(duì)制造過(guò)程進(jìn)行仔細(xì)監(jiān)控，包括在器件仍為半導(dǎo)體樣本形式時(shí)頻繁且詳細(xì)地檢查器件。

在本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“樣本”應(yīng)被廣義地解釋為涵蓋用于制造半導(dǎo)體集成電路、磁頭、平板顯示器和其他半導(dǎo)體制品的任何種類的晶片、掩模以及其他結(jié)構(gòu)、上述的組合和/或部件。

在本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“缺陷”應(yīng)被廣義地解釋為涵蓋在樣本上或樣本內(nèi)形成的任何種類的異常或不期望的特征。

樣本的復(fù)雜制造工藝并非是沒(méi)有錯(cuò)誤的，并且此類錯(cuò)誤可能會(huì)導(dǎo)致制造的器件出現(xiàn)故障。這些故障可包括可能損害器件操作的缺陷，以及可能是缺陷但不會(huì)對(duì)制造的器件造成任何損害或使制造的器件失靈的危害。作為非限制性示例，由于原材料中的故障、機(jī)械、電氣或光學(xué)錯(cuò)誤、人為錯(cuò)誤或其他原因，可能在制造工藝中引起缺陷。此外，缺陷可能是由時(shí)空因素引起的，諸如在檢查處理中一個(gè)或多個(gè)制造階段之后發(fā)生的晶片溫度變化，所述晶片溫度變化可能會(huì)導(dǎo)致晶片的一些變形。檢查處理還可能例如由于檢查設(shè)備或工藝中的光學(xué)、機(jī)械或電氣問(wèn)題而引入其他所謂的錯(cuò)誤，這從而提供不完美的獲取結(jié)果。此類錯(cuò)誤可能會(huì)產(chǎn)生假陽(yáng)性結(jié)果，所述假陽(yáng)性結(jié)果可能看起來(lái)包含缺陷，但在該區(qū)域不存在實(shí)際缺陷。

在許多應(yīng)用中，缺陷的類型或類別很重要。例如，缺陷可以被分類為多個(gè)類別中的一種類別，諸如顆粒、劃痕、處理或類似者。

除非另外特別說(shuō)明，否則本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“檢查”應(yīng)被廣義地解釋為涵蓋對(duì)對(duì)象中的缺陷進(jìn)行任何種類的檢測(cè)和/或分類。在制造待檢查對(duì)象的工藝之中或之后，通過(guò)使用非破壞性檢查工具來(lái)提供檢查。作為非限制性示例，檢查工藝可以包括使用一個(gè)或多個(gè)檢查工具針對(duì)對(duì)象或其部分提供掃描(以單次或多次掃描的形式)、采樣、審閱、測(cè)量、分類和/或其他操作。同樣，檢查可以在制造待檢查的對(duì)象之前提供，并且可以包括例如生成(多個(gè))檢查方案。應(yīng)注意的是，除非另外特別說(shuō)明，否則本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“檢查”或其派生詞在(多個(gè))檢查區(qū)域的大小、掃描的速度或分辨率、或檢查工具的類型方面不作限制。作為非限制性示例，各種非破壞性檢查工具包括光學(xué)工具、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡等。

檢查工藝可以包括多個(gè)檢查步驟。在制造工藝中，檢查步驟可以執(zhí)行多次，例如在某些層的制造或加工之后，或類似者。另外地或替代地，每個(gè)檢查步驟可以重復(fù)多次，例如針對(duì)不同的樣本位置或針對(duì)具有不同檢查設(shè)定的相同樣本位置。

作為非限制性示例，運(yùn)行時(shí)檢查(run-time examination)可以采用兩步程序，例如檢視樣本，然后審閱被采樣的缺陷。在檢視步驟期間，通常以相對(duì)較高的速度和/或較低的分辨率掃描樣本或樣本的一部分(例如，感興趣的區(qū)域，熱點(diǎn)等)的表面。分析所捕獲的檢查圖像以便檢測(cè)缺陷并獲得缺點(diǎn)位置和其他檢視屬性。在審閱步驟中，通常以相對(duì)較低的速度和/或較高的分辨率捕獲在檢視階段檢測(cè)到的至少一些缺陷的圖像，從而使得能夠?qū)λ鲋辽僖恍┤毕葸M(jìn)行分類和任選的其他分析。在一些情況下，兩個(gè)階段可以通過(guò)相同的檢視工具來(lái)實(shí)施，而在一些其他情況中，通過(guò)不同的檢視工具來(lái)實(shí)施這兩個(gè)階段。

發(fā)明內(nèi)容