[發明專利]半導體裝置的數據感測電路在審
| 申請號: | 202010014527.5 | 申請日: | 2020-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN111951844A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 尹珉鎬 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/06 | 分類號: | G11C7/06;G11C7/08 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 許偉群;阮愛青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 數據 電路 | ||
根據本公開,一種半導體裝置的數據感測電路包括:感測部分,其被配置為感測并放大通過第一數據線和第二數據線之中的被激活的數據線提供的輸入信號。數據感測電路還包括:偏移采樣部分,其被配置為通過對第一數據線和第二數據線之中的要被激活的一個數據線的第一偏移電壓進行采樣來產生第二偏移電壓,并且被配置為將第二偏移電壓儲存到第一數據線和第二數據線之中的另一數據線的寄生電容中。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年5月14日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2019-0056323的韓國申請的優先權,其公開內容通過引用整體合并于此。
技術領域
本公開的各種實施例涉及一種半導體電路,并且更具體地,涉及一種半導體裝置的數據感測電路。
背景技術
半導體裝置包括被配置為將儲存在存儲單元中的數據感測并放大的數據感測電路。由于可能是通過制造工藝的改變、具有低電壓電平的電源電壓的使用以及配置單位存儲單元的電容器的電容的減小而引起的數據感測電路的感測裕度的減小,可能會導致操作性能劣化。
發明內容
本公開的各種示例性實施例可以提供一種能夠增大感測裕度的半導體裝置的數據感測電路。
在本公開的一個實施例中,一種半導體裝置的數據感測電路可以包括感測部分,該感測部分被配置為感測并放大通過第一數據線和第二數據線之中的被激活的數據線提供的輸入信號。數據感測電路還可以包括偏移采樣部分,該偏移采樣部分被配置為通過對所述第一數據線和第二數據線之中的要被激活的一個數據線的第一偏移電壓進行采樣來產生第二偏移電壓,并且被配置為將第二偏移電壓儲存到第一數據線和第二數據線之中的另一數據線的寄生電容中。
在本公開的一個實施例中,一種半導體裝置的數據感測電路可以包括感測放大器,該感測放大器被配置為響應于多個控制信號,通過對第一數據線和第二數據線之中的要被激活的一個數據線的第一偏移電壓進行采樣來產生第二偏移電壓,將所述第二偏移電壓儲存到第一數據線和第二數據線之中的另一數據線中,并控制所述第一偏移電壓和所述第二偏移電壓,使得所述第一偏移電壓被所述第二偏移電壓抵消。數據感測電路還可以包括感測放大器控制電路,該感測放大器控制電路被配置為響應于激活信息來產生所述多個控制信號,所述激活信息限定了第一數據線和第二數據線之中的要被激活的一個數據線。
附圖說明
結合附圖來描述特征、方面和實施例,其中:
圖1是示出根據本公開的實施例的數據感測電路的配置的示意圖;
圖2是示出圖1所示的感測放大器的配置的示意圖;
圖3是示出根據本公開的實施例的數據感測電路的操作的時序圖;
圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是示出根據圖3的各個操作區段的電路連接狀態的示意圖;
圖5是示出根據本公開的實施例的數據感測電路的操作的時序圖;以及
圖6A、圖6B、圖6C和圖6D是示出根據圖5的各個操作區段的電路連接狀態的示意圖。
具體實施方式
在下文中,下面通過各種實施例參考附圖來描述根據本公開的半導體裝置。
圖1是示出根據本公開的實施例的數據感測電路的配置的示意圖。
參考圖1,根據本公開的實施例的數據感測電路100可以包括感測放大器200和感測放大器控制電路500。
感測放大器200可以響應于多個控制信號CTRL而將第一數據線和第二數據線預充電到預充電電壓VBLP的電平。
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