[發明專利]圖案化方法

在審

• 申請號: 202010014002.1
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111696915A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 巴山剛;巖城友博;大島弘充
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及圖案化方法。一些實施例包含一種將目標材料圖案化的方法。提供具有位于所述目標材料上方的掩蔽材料的組合件。在所述組合件上方形成第一線。所述第一線沿著第一方向延伸且通過第一空間彼此橫向地間隔開。在所述第一線上方形成第二線。所述第二線沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸且通過第二空間彼此橫向地間隔開。所述第二線與所述第一線在第一交叉區處交叉。所述第二空間與所述第一空間在第二交叉區處交叉。圖案包含所述第一交叉區及所述第二交叉區。將所述圖案轉移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉區及所述第二交叉區正下方的位置中形成孔。將所述孔延伸到所述目標材料中。

技術領域

本申請案涉及適合用于集成電路制作的圖案化方法。

背景技術

制作集成電路可包括跨越支撐材料形成重復圖案。舉例來說，制作集成處理器、集成存儲器及/或集成傳感器可包括形成組件的一或多個陣列及相關聯的組件部分。示例性集成存儲器包含動態隨機存取存儲器(DRAM)、NAND等。

集成電路制作一直以來的目標是提高集成水平，且相關聯的目標是增大集成電路內的包裝密度。

期望開發出可適合于實現集成水平提高的改進的方法來形成重復圖案

發明內容

在一個方面中，本申請案提供一種方法，所述方法包括：在第一材料上方形成第一線與空間(L/S)圖案；在所述第一L/S圖案上方形成第二L/S圖案；移除所述第一材料的第一部分，以在所述第一材料中形成第一孔，所述第一部分對應于所述第一L/S圖案的空間與所述第二L/S圖案的空間的交叉部分；及移除所述第一材料的第二部分，以在所述第一材料中形成第二孔，所述第二部分對應于所述第一L/S圖案的線與所述第二L/S圖案的線的交叉部分。

在另一方面中，本申請案提供一種將目標材料圖案化的方法，所述方法包括：形成組合件，所述組合件包括位于所述目標材料上方的掩蔽材料；在所述組合件上方形成第一線；所述第一線沿著第一方向延伸且通過第一空間彼此橫向地間隔開；在所述第一線上方形成第二線；所述第二線沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸且通過第二空間彼此橫向地間隔開；所述第二線與所述第一線在第一交叉區處交叉；所述第二空間與所述第一空間在第二交叉區處交叉；圖案包含所述第一交叉區及所述第二交叉區；將所述圖案轉移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉區及所述第二交叉區正下方的位置中形成孔；及將所述孔延伸到所述目標材料中。

在又一方面中，本申請案提供一種將目標材料圖案化的方法，所述方法包括：形成組合件，所述組合件包括位于所述目標材料上方的掩蔽材料；所述掩蔽材料具有第一上表面；在所述組合件上方形成第一線；所述第一線沿著第一方向延伸且通過第一空間彼此橫向地間隔開；在所述第一線上方且在所述第一空間內形成模塑材料；所述模塑材料具有第二上表面；在所述第二上表面上方形成第二線；所述第二線沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸且通過第二空間彼此橫向地間隔開；通過所述第二線將所述模塑材料圖案化以在所述模塑材料內形成第一圖案；所述第一圖案具有與所述第二線對準的第三線且具有與所述第二空間對準的第三空間；所述第一圖案具有位于所述第三空間內且位于所述第一線正上方的第一間隙區，且具有位于所述第三空間內且位于所述第一空間正上方的第二間隙區；通過第一蝕刻將所述第一圖案的所述第二間隙區轉移到所述掩蔽材料中以形成延伸到所述掩蔽材料中的第一開口；移除所述第二線；通過第二蝕刻將所述第一圖案的所述第一間隙區轉移到所述第一線中以將所述第一線圖案化成柱；在所述第一圖案內、在所述第一開口內且在所述柱之間形成額外模塑材料；所述額外模塑材料填充所述第一圖案以形成具有第三上表面的模塑材料塊體；移除所述模塑材料塊體的上部區以形成第四上表面，所述第四上表面沿著所述柱且沿著所述模塑材料塊體的在所述柱之間的區延伸；移除所述柱以留下延伸穿過所述模塑材料塊體的第二開口；將所述第二開口延伸到所述掩蔽材料中；所述掩蔽材料內的所述第一開口及所述第二開口一起形成第二圖案；及將所述第二圖案從所述掩蔽材料轉移到所述目標材料。

附圖說明