[發(fā)明專利]用于制造互連結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010013805.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113161284A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐民翰;曹榮志;陳俊彰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司;臺(tái)積電（南京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種制造互連結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在電介質(zhì)層上方沉積金屬硬掩模；

在所述金屬硬掩模中蝕刻金屬硬掩模開(kāi)口，以暴露所述電介質(zhì)層的頂表面；

在所述電介質(zhì)層中蝕刻至少一個(gè)互連開(kāi)口，以暴露基底導(dǎo)電層的頂表面；

通過(guò)將非金屬原子添加至所述金屬硬掩模的金屬性層來(lái)修改所述金屬硬掩模開(kāi)口的側(cè)壁；以及

在所述金屬硬掩模開(kāi)口和所述至少一個(gè)互連開(kāi)口中沉積導(dǎo)電材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：移除所述導(dǎo)電材料的位于所述金屬硬掩模的頂表面上的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：移除所述金屬硬掩模。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積金屬硬掩模還包括：

在所述電介質(zhì)層上方沉積第一抗反射層；以及

在所述電介質(zhì)層上方沉積所述金屬性層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，修改所述金屬硬掩模開(kāi)口的側(cè)壁還包括：對(duì)所述金屬硬掩模進(jìn)行退火以將所述金屬性層的金屬原子擴(kuò)散至所述第一抗反射層中，其中，所述金屬性層位于所述第一抗反射層與所述電介質(zhì)層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，修改所述金屬硬掩模開(kāi)口的側(cè)壁還包括：將所述第一抗反射層和所述金屬性層暴露于含氮等離子體。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：在所述電介質(zhì)層上方沉積第二抗反射層，使得所述金屬性層位于所述第一抗反射層與所述第二抗反射層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述至少一個(gè)互連開(kāi)口還包括：

穿過(guò)所述金屬硬掩模開(kāi)口在所述電介質(zhì)層中蝕刻至少一個(gè)溝槽；

在所述金屬硬掩模上方和所述至少一個(gè)溝槽中沉積一層掩模材料；

對(duì)所述掩模材料進(jìn)行圖案化以在所述至少一個(gè)溝槽中形成穿過(guò)所述掩模材料的開(kāi)口；以及

穿過(guò)所述電介質(zhì)層蝕刻至少一個(gè)通孔，以暴露位于所述電介質(zhì)層下方的所述基底導(dǎo)電層。

9.一種制造互連結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在第一銅互連結(jié)構(gòu)上方沉積電介質(zhì)層；

在所述電介質(zhì)層上方沉積金屬硬掩模；

在所述金屬硬掩模中蝕刻金屬硬掩模開(kāi)口；

在所述電介質(zhì)層中蝕刻互連結(jié)構(gòu)開(kāi)口的第一部分；

在所述電介質(zhì)層中蝕刻所述互連結(jié)構(gòu)開(kāi)口的第二部分；

通過(guò)對(duì)所述金屬硬掩模進(jìn)行熱處理來(lái)修改所述金屬硬掩模開(kāi)口的側(cè)壁；以及

穿過(guò)所述金屬硬掩模開(kāi)口在所述互連結(jié)構(gòu)開(kāi)口中沉積導(dǎo)電材料。

10.一種制造互連結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方沉積電介質(zhì)層；

在所述電介質(zhì)層上方沉積硬掩模層；

穿過(guò)硬掩模層開(kāi)口來(lái)暴露所述電介質(zhì)層的頂表面；

在所述電介質(zhì)層中蝕刻互連開(kāi)口；

修改所述硬掩模層開(kāi)口的側(cè)壁；以及

穿過(guò)具有經(jīng)修改的側(cè)壁的所述硬掩模層開(kāi)口來(lái)利用導(dǎo)電材料填充所述互連開(kāi)口。