[發明專利]半導體基板

有效

• 申請號: 202010013803.6
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111146212B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 林威廷;王鼎;鄭君丞
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種半導體基板，包括：

一基板；

一第一金屬氧化物半導體層，設置于該基板上，其中該第一金屬氧化物半導體層包括一第一金屬氧化物半導體圖案及一第二金屬氧化物半導體圖案；

一第一絕緣層，設置于該第一金屬氧化物半導體層上；

一第一導電層，設置于該第一絕緣層上，其中該第一導電層包括一第一柵極及一第二柵極；

一第二絕緣層，設置于該第一導電層上；

一第二導電層，設置于該第二絕緣層上，其中該第二導電層包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極及一第二漏極，該第一源極及該第一漏極各自電性連接至該第一金屬氧化物半導體圖案，且該第二源極及該第二漏極各自電性連接至該第二金屬氧化物半導體圖案；以及

一第二金屬氧化物半導體層，設置于該第二絕緣層上，其中該第二金屬氧化物半導體層包括一第三金屬氧化物半導體圖案，該第二源極及該第二漏極各自電性連接至該第三金屬氧化物半導體圖案；

該第一源極與該第一柵極不重疊，且該第一漏極與該第一柵極不重疊；

該第二源極與該第二柵極部分重疊，且該第二漏極與該第二柵極部分重疊，

其中該第二金屬氧化物半導體層的載子遷移率大于該第一金屬氧化物半導體層的載子遷移率。

2.如權利要求1所述的半導體基板，其中

該第二金屬氧化物半導體圖案具有一源極區、一通道區和一漏極區，該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區直接接觸于該第二源極，該第二金屬氧化物半導體圖案的該漏極區直接接觸于該第二漏極，且該第二金屬氧化物半導體圖案的該通道區設置于該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區與該第二金屬氧化物半導體圖案的該漏極區之間；

該第三金屬氧化物半導體圖案具有一源極區、一通道區和一漏極區，該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區直接接觸于該第二源極，該第三金屬氧化物半導體圖案的該漏極區直接接觸于該第二漏極，且該第三金屬氧化物半導體圖案的該通道區設置于該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區與該第三金屬氧化物半導體圖案的該漏極區之間；

該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區及該第二金屬氧化物半導體圖案的該漏極區為多個改質區，且該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區及該第三金屬氧化物半導體圖案的該漏極區為多個本質區。

3.如權利要求1所述的半導體基板，其中

該第二金屬氧化物半導體圖案具有一源極區、一通道區和一漏極區，該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區直接接觸于該第二源極，該第二金屬氧化物半導體圖案的該漏極區直接接觸于該第二漏極，且該第二金屬氧化物半導體圖案的該通道區設置于該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區與該第二金屬氧化物半導體圖案的該漏極區之間；

該第三金屬氧化物半導體圖案具有一源極區、一通道區和一漏極區，該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區直接接觸于該第二源極，該第三金屬氧化物半導體圖案的該漏極區直接接觸于該第二漏極，且該第三金屬氧化物半導體圖案的該通道區設置于該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區與該第三金屬氧化物半導體圖案的該漏極區之間；

該第三金屬氧化物半導體圖案的該源極區的電阻率大于該第二金屬氧化物半導體圖案的該源極區的電阻率。

4.如權利要求1所述的半導體基板，其中該第一金屬氧化物半導體層的材料與該第二金屬氧化物半導體層的材料不同。

5.如權利要求1所述的半導體基板，其中該第二金屬氧化物半導體層的材質包括氧化銦錫鋅，且該第一金屬氧化物半導體層的材質包括氧化銦鎵鋅。

6.如權利要求1所述的半導體基板，其中該第一漏極電性連接至該第二柵極。

7.如權利要求1所述的半導體基板，還包括：

一發光二極管元件，電性連接至該第二漏極。

8.如權利要求1所述的半導體基板，其中該第二金屬氧化物半導體層設置于該第二導電層上。

9.如權利要求1所述的半導體基板，其中該第二金屬氧化物半導體層設置于該第二導電層與該第二絕緣層之間。