[發(fā)明專利]一種低電磁干擾功率器件終端結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010013601.1
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN110808245B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 蔡少峰;任敏;高巍;李科;陳鳳甫;鄧波;賀勇;蒲俊德
• 申請（專利權）人: 四川立泰電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/552;H01L21/82
• 代理公司: 成都中璽知識產(chǎn)權代理有限公司 51233
• 代理人: 安宇宏;譚昌馳

1.一種低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述低電磁干擾功率器件終端結構包括：從下至上依次層疊設置的金屬化漏極、第一導電類型半導體襯底和第一導電類型半導體外延層，以及第二導電類型半導體主結、第二導電類型半導體等位環(huán)、第一導電類型截止環(huán)、第二導電類型半導體場限環(huán)、第一介質層、第二介質層、第三介質層、導電場板、電阻和金屬化源極，其中，

第二導電類型半導體主結、第二導電類型半導體等位環(huán)和第一導電類型截止環(huán)設置在所述第一導電類型半導體外延層上部，且所述第二導電類型半導體主結與位于其正上方的金屬化源極直接接觸，所述第二導電類型半導體等位環(huán)與所述第二導電類型半導體主結相接觸，所述第一導電類型截止環(huán)位于遠離第二導電類型半導體主結的遠端一側；

所述第二導電類型半導體場限環(huán)設置在第一導電類型半導體外延層上部且位于所述第二導電類型半導體等位環(huán)與第一導電類型截止環(huán)之間；

多個彼此相隔的第一介質層分別覆蓋第二導電類型半導體等位環(huán)、第一導電類型截止環(huán)、以及第二導電類型半導體場限環(huán)的上表面，且每個第一介質層上表面上相應覆蓋有一個導電場板，同時所述多個彼此相隔的第一介質層中每兩個第一介質層之間設置有一個所述第二介質層，每個第二介質層上表面相應形成一個電阻，以在每兩個相鄰的所述導電場板之間形成一個電阻，并且，彼此相鄰的電阻與導電場板之間串聯(lián)電連接；

第三介質層覆蓋所有電阻的上表面和所有導電場板的上表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述第二導電類型半導體場限環(huán)的數(shù)量為一個或彼此相隔的兩個以上。

3.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述第三介質層還覆蓋第一介質層的外漏的上表面和第二介質層的外漏的上表面。

4.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述第一導電類型半導體襯底的摻雜程度大于第一導電類型半導體外延層。

5.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述電阻為多晶硅電阻。

6.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述第一介質層的介電常數(shù)高于二氧化硅。

7.根據(jù)權利要求1所述的低電磁干擾功率器件終端結構，其特征在于，所述串聯(lián)電連接通過金屬互連線或多晶互連線實現(xiàn)。