[發明專利]黑陶瓷低熔玻璃外殼集成電路內部水汽含量控制方法

有效

• 申請號: 202010013321.0
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111192839B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 商登輝;房迪;張超超;蔡景洋;聶平健;周東;周恒;田東;李陽;李洪秀;劉思奇;劉金麗
• 申請（專利權）人: 貴州振華風光半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106
• 代理人: 劉安寧

1.黑陶瓷低熔玻璃外殼集成電路內部水汽含量控制方法，其特征包括以下步驟：

第一步，根據水汽存在位置針對性地去除水汽，首先在清洗完成后的管殼放入遠紅外烘干爐進行表面烘干；

第二步，在裝結工序前進行矩陣排放至鋁合金襯底托架或者不銹鋼放盤中，放入真空燒焊設備反復抽真空、通氮氣，然后進行預升溫預熱、預保溫，再升溫至除氣溫度、再保溫、降溫的工藝；

第三步，前述步驟完成后將半成品以矩陣排放方式放入真空烘箱烘烤；

第四步，在完成鍵合后將產品放入真空烘箱再次烘烤，目的是去除組裝流程中環境對產品造成的表面吸濕存在的水汽；

所述第一步中，所述烘干溫度為85℃、烘干時間為2h；

所述第二步中，所述抽真空、通氮氣的工藝條件為3次循環抽充，真空度控制在10Pa、氮氣純度為99?.999%，目的是保證工作腔體內部氣氛的純凈和低水汽；所述預熱即預升溫，工藝條件是升溫速率30-50℃/min，升溫溫度為150℃，通氮氣的純度為99?.999%目的是進一步凈化氣氛，剝離表面吸附水汽；所述預保溫的工藝條件是：溫度150℃，保溫時間10min，真空度10Pa，目的是使整個腔體溫度均衡，減小區域溫差，同時通過真空抽氣將剝離出的表面吸附水汽抽離腔體；所述再升溫工序的升溫速率為50-80℃/min?,升溫溫度380℃，3次循環抽充，真空度10Pa、氮氣純度99?.999%，目的是高速率升溫過程能夠加快低熔玻璃玻璃體的分子運動頻率，快速去除表層烘出的水汽，同時進一步凈化工作腔體環境；所述再保溫控制的工藝條件是溫度380℃，時間30min，真空度10Pa，目的是使低熔玻璃軟化，內部多孔性封閉區域通過高溫軟化加上壓力差的作用打開，釋放出內部包裹性水汽，同時也使低熔玻璃更加致密減少內部空孔；所述降溫階段的工藝條件是降溫速率15-30℃/min，降溫方式為風冷降溫，降溫氣體是99?.999%氮氣，目的是通過低速率降溫控制玻璃體溫度應力，避免高溫差產生的龜裂、炸裂，同時高純氮氣的風冷降溫保證了玻璃體的純凈；

所述第三步中，所述半成品放入真空烘箱的工藝條件是：溫度125℃、真空度10Pa、時間8h，作為裝結前準備保存，這樣有利于提高后續裝結膠體與管基的結合力，減小結合孔洞，避免覆蓋造成的閉塞空位，避免膠體包裹，減少環境吸濕對產品造成的影響；

所述第四步中，所述產品放入真空烘箱再次烘烤的工藝條件是：溫度125℃、真空度10Pa、時間8h。