[發(fā)明專利]光學(xué)鄰近修正方法、掩膜版的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010012579.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113075855A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁姣;王偉斌;王棟;王興榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/36 | 分類號(hào): | G03F1/36;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 鄰近 修正 方法 掩膜版 制作方法 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 形成 | ||
1.一種光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,包括:。
提供待修正版圖,所述待修正版圖包括若干待修正圖形;
對(duì)所述待修正版圖進(jìn)行分組處理,獲取若干圖形組,每個(gè)所述圖形組中包括至少一個(gè)所述待修正圖形;
在所述分組處理之后,對(duì)每個(gè)所述圖形組中的所述待修正圖形進(jìn)行若干次第一光學(xué)鄰近修正,獲取第一修正圖形;
在所述第一光學(xué)鄰近修正之后,對(duì)每個(gè)所述圖形組中的所述第一修正圖形進(jìn)行校正處理,獲取第二修正圖形;
在所述校正處理之后,對(duì)每個(gè)所述第二修正圖形進(jìn)行若干次第二光學(xué)鄰近修正,獲取第三修正圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述分組處理的方法包括:將所述待修正版圖中形狀與尺寸相同的所述待修正圖形分為同一組別,獲取若干初始圖形組;對(duì)每個(gè)初始圖形組中的所述待修正圖形進(jìn)行曝光處理,獲取每個(gè)所述待修正圖形對(duì)應(yīng)的第一曝光圖形;獲取每個(gè)所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差,將每個(gè)所述初始圖形組中第一邊緣位置誤差相同的第一曝光圖形所對(duì)應(yīng)的待修正圖形分為同一組別,獲取若干圖形組。
3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,獲取每個(gè)所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差的方法包括:提供目標(biāo)版圖,所述目標(biāo)版圖中包括若干與所述待修正圖形對(duì)應(yīng)的目標(biāo)圖形;在每個(gè)所述目標(biāo)圖形上設(shè)置若干第一采樣點(diǎn);在每個(gè)所述第一曝光圖形上設(shè)置若干與所述第一采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第二采樣點(diǎn);將若干所述第一采樣點(diǎn)沿第一方向以1~N的序號(hào)標(biāo)示,N為自然數(shù),且N≥2;對(duì)比所述目標(biāo)圖形與所述第一曝光圖形,獲取每個(gè)第一采樣點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的第二采樣點(diǎn)之間的第一差值,將若干所述第一差值進(jìn)行相加后求取第一平均值,以所述第一平均值作為所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述校正處理的方法包括:提供若干校正值,每個(gè)所述圖形組對(duì)應(yīng)的所述校正值不同;根據(jù)所述校正值對(duì)每個(gè)所述圖形組中的待修正圖形進(jìn)行校正處理。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,根據(jù)所述校正值對(duì)每個(gè)所述圖形組中的第一修正圖形進(jìn)行校正處理的方法包括:通過(guò)所述校正值對(duì)所述第一修正圖形進(jìn)行校正,獲取中間圖形;對(duì)所述中間圖形進(jìn)行曝光處理,獲取每個(gè)所述中間圖形對(duì)應(yīng)的第二曝光圖形;獲取每個(gè)所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差;根據(jù)所述第二邊緣位置誤差對(duì)所述中間圖形進(jìn)行校正處理。
6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,獲取每個(gè)所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差的方法包括:在所述第二曝光圖形上設(shè)置若干與所述第一采樣點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第三采樣點(diǎn);對(duì)比所述目標(biāo)圖形與所述第二曝光圖形,獲取每個(gè)第一采樣點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的第三采樣點(diǎn)之間的第二差值,將若干所述第二差值進(jìn)行相加后求取第二平均值,以所述第二平均值作為所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差。
7.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,根據(jù)所述第二邊緣位置誤差對(duì)所述中間圖形進(jìn)行校正處理的方法包括:提供第一閾值;將所述第一閾值與所述第二邊緣位置誤差進(jìn)行對(duì)比;當(dāng)所述第二邊緣位置誤差大于所述第一閾值時(shí),修改所述校正值,以減小所述第二邊緣位置誤差與所述第一閾值的差異,直至所述第二邊緣位置誤差小于或等于所述第一閾值時(shí)為止,獲取所述第二修正圖形。
8.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,獲取第三修正圖形的方法包括:對(duì)每個(gè)所述圖形組中的第二修正圖形進(jìn)行曝光處理,獲取每個(gè)所述第二修正圖形對(duì)應(yīng)的第三曝光圖形;獲取每個(gè)所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差;根據(jù)所述第三邊緣位置誤差獲取所述第三修正圖形。
9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,獲取每個(gè)所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差的方法包括:在所述第三曝光圖形上設(shè)置若干與所述第一采樣點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第四采樣點(diǎn);對(duì)比所述目標(biāo)圖形與所述第三曝光圖形,獲取第1個(gè)或第N個(gè)第一采樣點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的第四采樣點(diǎn)之間的第三差值,以所述第三差值作為所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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