[發明專利]光學鄰近修正方法、掩膜版的制作方法及半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010012579.9
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113075855A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 袁姣;王偉斌;王棟;王興榮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括：。

提供待修正版圖，所述待修正版圖包括若干待修正圖形；

對所述待修正版圖進行分組處理，獲取若干圖形組，每個所述圖形組中包括至少一個所述待修正圖形；

在所述分組處理之后，對每個所述圖形組中的所述待修正圖形進行若干次第一光學鄰近修正，獲取第一修正圖形；

在所述第一光學鄰近修正之后，對每個所述圖形組中的所述第一修正圖形進行校正處理，獲取第二修正圖形；

在所述校正處理之后，對每個所述第二修正圖形進行若干次第二光學鄰近修正，獲取第三修正圖形。

2.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述分組處理的方法包括：將所述待修正版圖中形狀與尺寸相同的所述待修正圖形分為同一組別，獲取若干初始圖形組；對每個初始圖形組中的所述待修正圖形進行曝光處理，獲取每個所述待修正圖形對應的第一曝光圖形；獲取每個所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差，將每個所述初始圖形組中第一邊緣位置誤差相同的第一曝光圖形所對應的待修正圖形分為同一組別，獲取若干圖形組。

3.如權利要求2所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取每個所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差的方法包括：提供目標版圖，所述目標版圖中包括若干與所述待修正圖形對應的目標圖形；在每個所述目標圖形上設置若干第一采樣點；在每個所述第一曝光圖形上設置若干與所述第一采樣點對應的第二采樣點；將若干所述第一采樣點沿第一方向以1～N的序號標示，N為自然數，且N≥2；對比所述目標圖形與所述第一曝光圖形，獲取每個第一采樣點與對應的第二采樣點之間的第一差值，將若干所述第一差值進行相加后求取第一平均值，以所述第一平均值作為所述第一曝光圖形的第一邊緣位置誤差。

4.如權利要求3所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述校正處理的方法包括：提供若干校正值，每個所述圖形組對應的所述校正值不同；根據所述校正值對每個所述圖形組中的待修正圖形進行校正處理。

5.如權利要求4所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，根據所述校正值對每個所述圖形組中的第一修正圖形進行校正處理的方法包括：通過所述校正值對所述第一修正圖形進行校正，獲取中間圖形；對所述中間圖形進行曝光處理，獲取每個所述中間圖形對應的第二曝光圖形；獲取每個所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差；根據所述第二邊緣位置誤差對所述中間圖形進行校正處理。

6.如權利要求5所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取每個所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差的方法包括：在所述第二曝光圖形上設置若干與所述第一采樣點相對應的第三采樣點；對比所述目標圖形與所述第二曝光圖形，獲取每個第一采樣點與對應的第三采樣點之間的第二差值，將若干所述第二差值進行相加后求取第二平均值，以所述第二平均值作為所述第二曝光圖形的第二邊緣位置誤差。

7.如權利要求5所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，根據所述第二邊緣位置誤差對所述中間圖形進行校正處理的方法包括：提供第一閾值；將所述第一閾值與所述第二邊緣位置誤差進行對比；當所述第二邊緣位置誤差大于所述第一閾值時，修改所述校正值，以減小所述第二邊緣位置誤差與所述第一閾值的差異，直至所述第二邊緣位置誤差小于或等于所述第一閾值時為止，獲取所述第二修正圖形。

8.如權利要求3所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取第三修正圖形的方法包括：對每個所述圖形組中的第二修正圖形進行曝光處理，獲取每個所述第二修正圖形對應的第三曝光圖形；獲取每個所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差；根據所述第三邊緣位置誤差獲取所述第三修正圖形。

9.如權利要求8所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取每個所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差的方法包括：在所述第三曝光圖形上設置若干與所述第一采樣點相對應的第四采樣點；對比所述目標圖形與所述第三曝光圖形，獲取第1個或第N個第一采樣點與對應的第四采樣點之間的第三差值，以所述第三差值作為所述第三曝光圖形的第三邊緣位置誤差。