[發明專利]一種顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202010012372.1 | 申請日: | 2020-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN111211242B | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 劉世奇 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種顯示面板及其制備方法,顯示面板包括第一基板,其一面具有第一接引走線;第二基板包括蓋板;第一電極,設于所述蓋板朝向所述第一基板的一面,從所述非發光區延伸至所述發光區;第二接引走線,設于所述第一電極上。本發明的有益效果在于本發明的顯示面板及其制備方法通過在顯示面板的蓋板一側制備陽極和陰極,在陣列基板一側對應陽極的位置制備第一接引走線,同時在蓋板陽極處制備第二接引走線與第一接引走線連接,使陣列基板上的第二金屬層和蓋板上的陽極連接,從而使陽極具有良好的平整度的同時,提高顯示面板的發光效率和使用壽命。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術
AMOLED(英語:Active-matrix organic light-emitting diode,中譯:有源矩陣有機發光二極體或主動矩陣有機發光二極體)是一種顯示屏技術。其中OLED(有機發光二極體)是描述薄膜顯示技術的具體類型:有機電激發光顯示;AM(有源矩陣體或稱主動式矩陣體)是指背后的像素尋址技術。
隨著人們對面板顯示質量的高要求,AMOLED顯示逐漸由于其色域及對比度優勢占據了高端顯示市場,但其仍存在著較大的改進空間。目前多數的OLED制備采用蒸鍍的方式,近些年打印形式的OLED制備,已經逐漸顯露頭角,其具備著高材料利用率的優勢,成為未來AMOLED顯示的主要發展方向。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種顯示面板及其制備方法用以解決現有技術中由于陣列基板上走線過多從而影響陽極的平整的技術問題。
解決上述技術問題的技術方案是:本發明提供了一種顯示面板,包括發光區和圍繞所述發光區的非發光區,以及第一基板,其一面具有第一接引走線;第二基板,蓋接于所述第一基板具有第一接引走線的一面;所述第二基板包括蓋板;第一電極,設于所述蓋板朝向所述第一基板的一面,從所述非發光區延伸至所述發光區;擋墻結構,設于所述第一電極上,所述擋墻結構中具有若干開口和圍繞所述開口的擋墻結構,所述擋墻結構設于所述非發光區中,發光層,包括若干發光單元,任一所述發光單元對應設于所述擋墻結構的所述開口內;第二電極,從所述非發光區延伸至所述發光層遠離所述蓋板的一面;封裝層,設于所述第一電極上且覆蓋所述擋墻結構、所述發光層和所述第二電極;第二接引走線,設于所述非發光區的所述第一電極上,其中,所述第二接引走線貫穿所述擋墻結構和所述封裝層。
進一步的,所述第二電極從對應的所述發光單元的表面延伸至所述非發光區的所述擋墻結構上,且設于所述擋墻結構上的所述第二電極與所述第二接引走線具有一間隙。
進一步的,所述第一接引走線與設于所述非發光區中的所述第二接引走線相對應。
進一步的,所述第一基板還包括襯底基板;遮光金屬層,設于所述襯底基板上的非發光區中;緩沖層,設于所述第二基板上且覆蓋所述遮光金屬層;有源層,設于所述緩沖層上;第一絕緣層,設于所述有源層上,其中所述第一絕緣層在所述襯底基板的正投影完全落入所述有源層在所述襯底基板的正投影內;第一金屬層,設于所述第一絕緣層上;第二絕緣層,設于所述緩沖層上且覆蓋所述有源層、所述第一絕緣層和所述第一金屬層。
進一步的,所述有源層包括第一有源層,設于所述非發光區中且對應所述遮光金屬層;第二有源層,設于所述發光區中;第二金屬層設于所述第二絕緣層上,所述第二金屬層包括第一金屬段,設于所述非發光區中且對應所述第一有源層,其中,所述第一金屬段包括至少兩個引腳,其中一引腳貫穿所述第二絕緣層與所述第一有源層相連,另一引腳貫穿所述第二絕緣層和所述緩沖層與所述遮光金屬層連接。
進一步的,還包括第三絕緣層,設于所述第二絕緣層上且覆蓋所述第二金屬層,所述第二絕緣層對應所述第一金屬段處開設有一開孔;所述第一接引走線設于所述開孔內壁且覆蓋所述第一金屬段裸露于所述開孔的區域。
進一步的,所述第一接引走線的材料包括銦鋅氧化物、氧化銦錫、鋁、銀中的至少一種。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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