[發(fā)明專利]形成半導體器件及其結構的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010011870.4 | 申請日: | 2020-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN111585529A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | J·J·丹尼爾斯;D·J·朱斯 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業(yè)有限責任公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45;H03M1/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 半導體器件 及其 結構 方法 | ||
本發(fā)明題為“形成半導體器件及其結構的方法”。在實施方案中,一種差分緩沖器可以包括第一輸入級,該第一輸入級將輸入信號的非反相部分交替地與輸出的非反相部分以及與輸出的反相部分進行比較。該差分緩沖器的另一實施方案還可以包括第二輸入級,該第二輸入級將輸入信號的反相部分交替地與輸出信號的反相部分和輸出信號的非反相部分進行比較。該差分緩沖器的其他實施方案可以包括反饋斬波開關,該反饋斬波開關將輸出信號的非反相部分和輸出信號的反相部分傳送至第一輸入級和第二輸入級。
對現有臨時申請的優(yōu)先權要求
本申請要求之前于2019年2月15日提交的發(fā)明名稱為“Chopping Technique toReduce Kick-Back Disturbance(用以降低回踢干擾的斬波技術)”的臨時申請No.62/806,524的優(yōu)先權,該臨時申請案卷號為ONS3314L01US,并且具有共同發(fā)明人Daniels等人,據此通過引用將該文獻并入本文。
背景技術
本發(fā)明整體涉及電子器件,并且更具體地講,涉及半導體、半導體結構以及形成半導體器件的方法。
過去,半導體工業(yè)利用各種方法和結構來形成用以測量各種類型的輸入信號的電路。一些應用程序將斬波穩(wěn)定放大器用作系統的部分,以提高測量的準確度。一些斬波穩(wěn)定放大器可能引起輸入信號的變化,這往往導致電路延遲一定時間周期,以允許輸入信號穩(wěn)定。在一些應用中,斬波必須以較低頻率進行,以避免測量中的準確度降低。
相應地,希望具有提高測量信號的準確度,減少信號測量的延遲或減少對輸入信號的干擾的電路或方法。
附圖說明
圖1示意性地示出了根據本發(fā)明的系統的部分的實施方案的示例;
圖2示意性地示出了根據本發(fā)明的差分緩沖器的部分的實施方案的示例;
圖3示意性地示出了根據本發(fā)明的圖2的差分緩沖器的具有另一操作狀態(tài)的部分的實施方案的示例;
圖4示意性地示出了根據本發(fā)明的差分放大器的實施方案的部分的示例;并且
圖5示出了根據本發(fā)明的包括圖1或圖2的差分緩沖器的半導體器件的放大平面圖。
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