[發(fā)明專利]一種晶圓吸盤保護(hù)裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010011488.3
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113078091B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊艷秋;徐旻;石鍺元;欒園翔
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京睿派知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11597
• 代理人: 劉鋒

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓吸盤保護(hù)裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備。在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在晶圓吸盤的外周設(shè)置包括第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)和第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的晶圓吸盤保護(hù)裝置以保護(hù)晶圓吸盤。其中，第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的基體的內(nèi)壁與晶圓吸盤配合，基體的上表面用于與所述晶圓的下表面的邊緣部分配合；第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)下用于支撐第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)。由此，使第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)保護(hù)下方的第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)。第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)與工藝過程中的等離子體或氣體接觸，并定期更換。能夠避免由于長時(shí)間使用在晶圓吸盤保護(hù)裝置中形成凹陷，并在凹陷處放電而導(dǎo)致在晶圓的邊緣區(qū)域的半導(dǎo)體器件的良率降低。因此，能夠提高半導(dǎo)體器件的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓吸盤保護(hù)裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體制造設(shè)備的精度提出了更高的要求。因此，半導(dǎo)體制造設(shè)備的精度還需要提高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓吸盤保護(hù)裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備，以提高半導(dǎo)體制造設(shè)備的精度，進(jìn)而提高所形成的半導(dǎo)體器件的精度。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶圓吸盤保護(hù)裝置，本發(fā)明實(shí)施例的晶圓吸盤用于吸附晶圓，所述晶圓吸盤保護(hù)裝置包括：

第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括具有第一厚度的基體，其中，所述基體的內(nèi)壁用于與所述晶圓吸盤配合，所述基體的上表面用于與所述晶圓的下表面的邊緣部分配合；以及

第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)，具有第二厚度，設(shè)置于所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)下，用于支撐所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)覆蓋所述第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上表面。

進(jìn)一步地，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)的下表面和所述第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上表面配合。

進(jìn)一步地，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括位于所述基體的下表面的環(huán)狀凸起，所述第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上表面具有與所述環(huán)狀凸起配合的凹陷區(qū)。

進(jìn)一步地，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)的基體上具有橫截面為環(huán)狀的環(huán)狀凸起，所述環(huán)狀凸起的內(nèi)壁用于與所述晶圓的外緣配合，所述環(huán)狀凸起的厚度大于或等于所述晶圓的厚度，所述環(huán)狀凸起的內(nèi)周的直徑大于或等于所述晶圓的外周的直徑。

進(jìn)一步地，所述第一厚度小于所述第二厚度。

進(jìn)一步地，所述第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁用于與所述晶圓吸盤配合。

進(jìn)一步地，所述第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)和所述第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的材料為石英。

進(jìn)一步地，所述晶圓吸盤保護(hù)裝置用于保護(hù)等離子體刻蝕、化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積設(shè)備中的晶圓吸盤。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，所述半導(dǎo)體制造設(shè)備包括第一方面所述的晶圓吸盤保護(hù)裝置。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體制造設(shè)備用于等離子體刻蝕、化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在晶圓吸盤的外周設(shè)置包括第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)和第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)的晶圓吸盤保護(hù)裝置以保護(hù)晶圓吸盤。其中，第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的基體的內(nèi)壁與晶圓吸盤配合，基體的上表面用于與所述晶圓的下表面的邊緣部分配合；第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)下用于支撐第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)。由此，使第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)保護(hù)下方的第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)。第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)與工藝過程中的等離子體或氣體接觸，并定期更換。能夠避免由于長時(shí)間使用在晶圓吸盤保護(hù)裝置中形成凹陷，并在凹陷處放電而導(dǎo)致在晶圓的邊緣區(qū)域的半導(dǎo)體器件的良率降低。因此，能夠提高半導(dǎo)體器件的良率。

附圖說明

通過以下參照附圖對本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1是第一對比例的晶圓吸盤的保護(hù)裝置的截面示意圖；