[發明專利]一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法

有效

• 申請號: 202010011307.7
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111133945B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 武曉紅;景晨娟;陳雪峰;王端;呂德智;季文章;楊陽;馬文會
• 申請（專利權）人: 河北省農林科學院石家莊果樹研究所
• 主分類號: A01G17/00
• 分類號: A01G17/00
• 代理公司: 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467
• 代理人: 高琦

1.一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法，其特征在于：包括以下步驟：

A選擇種植區并整地，開春期對選擇的種植區清除雜物并平整土地，進行翻耕和耙細作業，所述種植區分隔成多個均勻分布植株種植位；

B：選擇培育健壯的2年生山杏砧嫁接苗得到杏樹嫁接體，高度在1.2m以上，基部直徑在1cm以上，栽植后灌溉，保墑，定植后在樹干1m處定干；

C將所述杏樹嫁接體種植于對應的種植區的多個植株種植位上，在兩組杏樹嫁接體行間種植金銀花，栽植后灌水，保墑，植株定干后，將金銀花主干、主側枝以下的枝芽剪除；

D前1-2年對栽植后的所述杏樹嫁接體進行樹形培養，改良樹形的方法包括：定干高度在1m,第一年冬剪在整形帶內選出1個長勢強的枝條作為中心枝，在其下選留3-4個錯落著生的主枝，形成第一層，主枝基腳為45°-50°，對選留的主枝，剪留長度為50-60cm，剪口留外芽，中心延長枝剪留50-60cm，使其向上生長， 第二年冬剪時中心枝剪留60cm,剪口芽留在迎風面，對樹勢較強的選留第二層主枝，使第二層主枝與第一層主枝錯落著生，該層主枝的基腳為40°-50°，第二層主枝剪留長度為40-50cm；

E對所述種植區進行除害管理和更新。

2.根據權利要求1所述的一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法，其特征在于：所述嫁接苗的品種選擇早熟或極早熟品種杏樹。

3.根據權利要求1所述的一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法，其特征在于：定植前挖定植溝，每667m²施基肥4000kg。

4.根據權利要求1所述的一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法，其特征在于：所述杏樹嫁接體的定植的植株行距為3m×5m。

5.根據權利要求1所述的一種沙土貧瘠地杏樹高效益間作栽培方法，其特征在于：所述除害管理的方法包括：噴施吡蟲啉和高效氯氰菊酯防治蚜蟲及食葉卷葉害蟲，在5月中旬第二次噴施齊螨素和高效氯氰菊酯，防治紅蜘蛛及食葉卷葉害蟲，在7月中旬噴施高效氯氰菊酯防治食葉害蟲及介殼蟲。