[發明專利]一種并網逆變器拓撲結構及其控制方法

在審

• 申請號: 202010011238.X
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111064381A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 涂春鳴;高家元;郭祺;龍柳;盧柏樺;肖凡;姜飛;蘭征;帥智康;李慶
• 申請（專利權）人: 湖南大學
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H02J3/38
• 代理公司: 長沙新裕知識產權代理有限公司 43210
• 代理人: 劉熙

本發明公開了一種并網逆變器拓撲結構及其控制方法，涉及新能源發電技術領域，所述拓撲結構包括：直流側電壓U_dc、第一功率器件V₁、第二功率器件V₂、第三功率器件V₃、第四功率器件V₄、電感L₁、電容C、輸出負載R_L、開關SW、電網阻抗Z_g、交流電網電壓U_g、第一驅動信號S₁、第二驅動信號S₂、第三驅動信號S₃、第四驅動信號S₄；所述直流側電壓U_dc的正極與所述第一功率器件V₁、所述第三功率器件V₃連接，所述直流側電壓U_dc的負極與所述第二功率器件V₂、所述第四功率器件V₄連接，所述電感L₁和所述電容C構成LC濾波器，所述開關SW閉合或斷開控制所述并網逆變器并網運行或孤島運行。采用本發明，解決了并網逆變器運行損耗較大的問題。

技術領域

本發明涉及新能源發電技術領域，特別涉及一種并網逆變器拓撲結構及其控制方法。

背景技術

并網逆變器作為新能源與電網之間的接口，其更好的控制效果與轉換效率對于降低工業生產能耗以及提高新能源利用率具有重大且深遠的意義。電力電子器件是電力電子技術實現的載體，是并網逆變器的基本組成單元。單相全橋逆變器拓撲結構具有結構簡單、器件數量少、易于級聯擴容等優點而被廣泛應用于單相系統。

現有的單相全橋逆變器主要采用Si IGBT或Si MOSFET作為橋臂的開關器件，存在損耗較大的問題，尤其是在中、大功率場合，不利于并網逆變器的高效運行。

發明內容

本申請的目的在于解決并網逆變器運行損耗較大的問題。

為實現上述目的，本發明實施例提供了一種并網逆變器拓撲結構及其控制方法。所述技術方案如下：

一方面，一種并網逆變器拓撲結構，所述拓撲結構包括：

直流側電壓U_dc、第一功率器件V₁、第二功率器件V₂、第三功率器件V₃、第四功率器件V₄、電感L₁、電容C、輸出負載R_L、開關SW、電網阻抗Z_g、交流電網電壓U_g、第一驅動信號S₁、第二驅動信號S₂、第三驅動信號S₃、第四驅動信號S₄；

所述直流側電壓U_dc的正極與所述第一功率器件V₁、所述第三功率器件V₃連接，所述直流側電壓U_dc的負極與所述第二功率器件V₂、所述第四功率器件V₄連接，所述電感L₁和所述電容C構成LC濾波器，所述開關SW閉合或斷開控制所述并網逆變器并網運行或孤島運行，所述第一驅動信號S₁為所述第一功率器件V₁的驅動信號，所述第二驅動信號S₂為所述第二功率器件V₂的驅動信號，所述第三驅動信號S₃為所述第三功率器件V₃的驅動信號，所述第四驅動信號S₄為所述第四功率器件V₄的驅動信號。

進一步的，所述第一功率器件V₁和所述第二功率器件V₂構成工頻支路，所述第三功率器件V₃和所述第四功率器件V₄構成高頻支路。