[發明專利]直拉硅單晶爐

有效

• 申請號: 202010010611.X
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111041551B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 胥俊東
• 申請（專利權）人: 北京北方華創真空技術有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 吳歡燕

1.一種直拉硅單晶爐，其特征在于，包括

爐體；

坩堝，位于所述爐體內部；

籽晶桿，位于所述爐體內部，所述籽晶桿沿著自身軸向相對所述坩堝可升降，且在轉動狀態所述籽晶桿以設定轉速差相對所述坩堝沿著同一方向轉動，所述坩堝的轉速在500r/min或500r/min以上，籽晶桿比坩堝的轉速小5r/min-25r/min；

所述坩堝內設置有多塊肋板，所述肋板呈三角形，且所述肋板的第一邊固定于所述坩堝的內側壁，所述肋板的第二邊固定于所述坩堝的底板。

2.根據權利要求1所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，還包括：

罩體，在所述坩堝開口一側，所述籽晶桿位于所述罩體內；

提拉桿，第一端連接所述籽晶桿遠離所述坩堝的一端。

3.根據權利要求2所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，還包括：

進氣管，用于沿著所述提拉桿的軸向朝所述籽晶桿所在方向通入惰性氣體。

4.根據權利要求3所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，還包括：

分流擋板，設置于所述進氣管和所述籽晶桿之間。

5.根據權利要求3所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，還包括：

真空裝置，用于在所述進氣管的出氣口位置形成負壓。

6.根據權利要求5所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，所述罩體呈管狀，所述進氣管連通所述罩體的其中一端，所述真空裝置連通所述罩體的另一端。

7.根據權利要求2至6中任意一項所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，還包括升降機構和第一旋轉驅動單元；所述第一旋轉驅動單元連接所述提拉桿；

所述升降機構包括：

齒輪，與所述第一旋轉驅動單元固定；

螺桿，所述螺桿的數量為多根，且均嚙合于所述齒輪；

所述螺桿當中的至少其中一根連接第二旋轉驅動單元。

8.根據權利要求7所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，所述螺桿的數量為三根，且所有所述螺桿均勻分布于所述齒輪的外圈。

9.根據權利要求2至6中任意一項所述的直拉硅單晶爐，其特征在于，所述肋板沿著所述坩堝的轉動圓周均勻分布。