[發明專利]單一芯片全橋TMR磁場傳感器在審
| 申請號： | 202010010607.3 | 申請日： | 2020-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN111044953A | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發明（設計）人： | 劉明;關蒙萌;胡忠強;周子堯;朱家訓;黃豪 | 申請（專利權）人： | 珠海多創科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單一 芯片 tmr 磁場 傳感器 | ||
1.單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于，包括：磁電阻元件及偏置電流支路，所述磁電阻元件橋式連接形成全橋結構；
所述磁電阻元件包括自由層、釘扎層及偏置電流層，所述偏置電流層與所述偏置電流支路相連，所述偏置電流支路向所述偏置電流層輸入偏置電流；
位于相鄰橋臂上的磁電阻元件中偏置電流層內電流的方向相反，位于相對橋臂上磁電阻元件中偏置電流層內電流的方向相同。
2.如權利要求1所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：所述磁電阻元件包括依次設置的下電極層、釘扎層、第一絕緣層、自由層、上電極層、第二絕緣層以及偏置電流層。。
3.如權利要求1或2所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：所述偏置電流支路包括第一偏置電路支路和第二偏置電路支路，所述第一偏置電流支路與全橋結構中位于兩個相鄰橋臂上的磁電阻元件相連，所述第二偏置電流支路與全橋結構中位于另外兩個相鄰橋臂上的磁電阻元件相連。
4.如權利要求3所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：所述偏置電流支路與偏置電流源相連，電流從電流輸入端輸入后，經第一偏置電流支路依次流過位于兩個相鄰橋臂上的磁電阻元件和磁電阻元件，以及經第二偏置電流支路依次流過位于另外兩個相鄰橋臂上的磁電阻元件和磁電阻元件，然后從電流輸出端流出。
5.如權利要求1所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：所述磁電阻元件采用成膜工藝一次形成。
6.如權利要求1所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：所述偏置電流層內無電流通過時，磁電阻元件的自由層的磁化方向和釘扎層的磁化方向相互垂直。
7.如權利要求1或2或4或5或6所述的單一芯片全橋TMR磁場傳感器，其特征在于：流經所述偏置電流層的電流的大小相同。
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