[發明專利]掩膜版圖形、半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010010444.9
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113078048A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 舒強;張迎春;覃柳莎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;G03F1/76
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種掩膜版圖形，其特征在于，包括：

第一掩膜版圖形，所述第一掩膜版圖形包括若干第一目標圖形，若干所述第一目標圖形沿第一方向排列；

第二掩膜版圖形，所述第二掩膜版圖形包括若干第二目標圖形，若干所述第二目標圖形沿第一方向排列；

當所述第一掩膜版圖形和所述第二掩膜版圖形重合時，一個所述第一目標圖形與一個所述第二目標圖形部分重疊。

2.如權利要求1所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，各所述第一目標圖形具有第一尺寸，且相鄰第一目標圖形之間具有第一間距。

3.如權利要求2所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，各所述第二目標圖形具有第二尺寸，且相鄰第二目標圖形之間具有第二間距。

4.如權利要求3所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，所述第二尺寸的范圍為45納米～60納米；所述第一尺寸的范圍為25納米～45納米。

5.如權利要求3所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，所述第二尺寸的范圍為100納米～200納米；所述第一尺寸的范圍為100納米～200納米。

6.如權利要求3所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，所述第二目標圖形與第一目標圖形重疊部分的尺寸占第一尺寸的比例范圍為40％～60％，所述第二目標圖形與第一目標圖形非重疊部分的尺寸占第一間距的比例范圍為40％～60％。

7.如權利要求6所述的掩膜版圖形，其特征在于，沿第一方向上，所述第二目標圖形與第一目標圖形重疊部分的尺寸占第一尺寸的1/2，所述第二目標圖形與第一目標圖形非重疊部分的尺寸占第一間距的比例范圍為1/2。

8.如權利要求1所述的掩膜版圖形，其特征在于，所述第一掩膜版圖形還包括：若干第一主目標圖形，若干所述第一主目標圖形沿第一方向排列。

9.如權利要求1所述的掩膜版圖形，其特征在于，所述第二掩膜版圖形還包括：若干第二主目標圖形，若干所述第二主目標圖形沿第一方向排列。

10.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成犧牲膜；

提供掩膜版圖形，所述掩膜版圖形包括：第一掩膜版圖形，所述第一掩膜版圖形包括若干第一目標圖形，若干所述第一目標圖形沿第一方向排列；

第二掩膜版圖形，所述第二掩膜版圖形包括若干第二目標圖形，若干所述第二目標圖形沿第一方向排列；當所述第一掩膜版圖形和所述第二掩膜版圖形重合時，一個所述第一目標圖形與一個所述第二目標圖形部分重疊；

采用所述第二掩膜版圖形對所述犧牲膜進行第一圖形化工藝，形成若干相互分立的犧牲層，且若干所述犧牲層的位置和尺寸與所述第二目標圖形的位置和尺寸對應；

在所述犧牲層側壁表面形成側墻；

形成所述側墻之后，去除所述犧牲層；

去除所述犧牲層之后，在所述基底表面、以及側墻頂部表面和側壁表面形成掩膜層；

采用第一掩膜版圖形對所述掩膜層進行第二圖形化工藝，形成若干相互分立的掩膜結構，且若干所述掩膜結構的位置和尺寸與所述第一目標圖形的位置和尺寸對應。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜結構覆蓋至少一個所述側墻；相鄰所述掩膜結構之間具有至少一個側墻。

12.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述側墻的形成方法包括：在所述基底表面、以及犧牲層頂部表面和側壁表面形成側墻材料膜；回刻蝕所述側墻材料膜，直至暴露出所述基底表面和犧牲層頂部表面，在所述犧牲層側壁表面形成所述側墻。