[發(fā)明專利]電壓變換電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010010423.7
• 申請(qǐng)日: 2020-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN113078816B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俊;龔宏國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/158
• 分類號(hào): H02M3/158;H02M1/32
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種電壓變換電路，包括：

開關(guān)電路，適于基于輸入信號(hào)，在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處輸出節(jié)點(diǎn)信號(hào)，所述節(jié)點(diǎn)信號(hào)與所述輸入信號(hào)的相位相同；

電壓轉(zhuǎn)換電路，適于根據(jù)接收的節(jié)點(diǎn)信號(hào)進(jìn)入充電模式或放電模式以輸出輸出信號(hào)，并對(duì)所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)處接收的節(jié)點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行濾波；

其特征在于，還包括：

自激振蕩消除電路，適于當(dāng)所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生高頻振蕩信號(hào)時(shí)，將該高頻振蕩信號(hào)進(jìn)行釋放；

所述自激振蕩消除電路包括：

第一電容，第一端與所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)耦接；

第一NMOS管，其漏極與所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)耦接，源極接地；

第二NMOS管，其漏極與所述第一電容的第二端耦接，源極接地，柵極與所述第一NMOS管的柵極耦接；以及

偏置電流源，第一端與所述第二NMOS管的漏極耦接，第二端接收電流信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓變換電路，其特征在于，所述自激振蕩消除電路通過將高頻振蕩信號(hào)流入到地進(jìn)行釋放而消除自激振蕩信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓變換電路，其特征在于，所述第一NMOS管還適于為所述節(jié)點(diǎn)處提供低頻微電流釋放通路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓變換電路，其特征在于，所述自激振蕩消除電路為所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的高頻振蕩信號(hào)提供等效阻抗為第一阻抗的接地通路，且為所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的低頻信號(hào)提供等效阻抗為第二阻抗的接地通路，所述第一阻抗小于第二阻抗。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓變換電路，其特征在于，所述第一阻抗為：

其中，g_mM1為所述第一NMOS管的跨導(dǎo)，g_mM2為所述第二NMOS管的跨導(dǎo)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓變換電路，其特征在于，所述第二阻抗為：

r₂＝r_dsM1

其中，r_dsM1為所述第一NMOS管漏極與源極間的等效阻抗。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓變換電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括：驅(qū)動(dòng)器，適于接收輸入信號(hào)，并輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述輸入信號(hào)反相。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓變換電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括：開關(guān)PMOS管，適于在所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平時(shí)導(dǎo)通，并向所述電壓轉(zhuǎn)換電路輸出高電平；以及

開關(guān)NMOS管，適于在所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平時(shí)導(dǎo)通，并向所述電壓轉(zhuǎn)換電路輸出低電平。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓變換電路，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括：

電感，第一端與所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)耦接；以及

第二電容，第一端與所述電感的第二端耦接，第二端接地。