[發明專利]電容器及其制備方法

在審

• 申請號: 202010009965.2
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113078141A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 李相遇;崔基雄;金成基
• 申請（專利權）人: 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108;H01L49/02
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

1.一種電容器的制備方法，其特征在于：其包括：

形成下電極；

在所述下電極上依次形成層疊設置的多個介電膜層，其中距離所述下電極最近的介電膜層和距離所述下電極最遠的介電膜層均含有氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉿中的至少一種；以及

在所述多個介電膜層遠離下電極的一側形成上電極。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：形成所述上電極包括形成導電金屬或導電合金材質的電極；形成所述下電極包括形成導電金屬或導電合金材質的電極。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：形成層疊設置的所述多個介電膜層包括：

在所述下電極上形成第一介電膜層，所述第一介電膜層含有氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉿中的至少一種；

在所述第一介電膜層上形成至少一個中間介電膜層，每一個中間介電膜層含有氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿中的至少一種；以及

在所述至少一個中間介電膜層遠離下電極的一側形成第二介電膜層，所述第二介電膜層含有氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉿中的至少一種。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于：形成所述第一介電膜層包括：在所述下電極上沉積含有氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿中的至少一種材料的介電材料層，然后對該介電材料層進行氮化處理。

5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于：形成所述第二介電膜層包括：在所述至少一個中間介電膜層上沉積含有氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿中的至少一種材料的介電材料層，然后對該介電材料層進行氮化處理。

6.如權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于：所述氮化處理為采用NH₃進行退火處理或采用N₂進行等離子處理。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在所述多個介電膜層上形成上電極的步驟包括：在所述多個介電膜層上形成氧化鈦層，然后把表層的氧化鈦進行氮化形成氮化鈦作為上電極。

8.一種電容器，其特征在于：其包括：

下電極；

在下電極上層疊設置的多個介電膜層，其中距離所述下電極最近的介電膜層和距離所述下電極最遠的介電膜層均含有氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉿中的至少一種；以及

位于所述多個介電膜層遠離下電極的一側的上電極。

9.如權利要求8所述的電容器，其特征在于：所述上電極和所述下電極的材質均為導電金屬或導電合金。

10.如權利要求8所述的電容器，其特征在于：所述多個介電膜層包括距離所述下電極最近的第一介電膜層、距離所述下電極最遠的第二介電膜層、以及位于所述第一介電膜層和所述第二介電膜層之間的至少一個中間介電膜層，所述第一介電膜層和第二介電膜層均含有氮氧化鋁、氮氧化鋯、氮氧化鉿中的至少一種；每一個中間介電膜層含有氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿中的至少一種。