[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010009045.0
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111180467A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張金方;張晨;陳志偉;張露;胡思明;韓珍珍
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 娜拉

本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制造方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，包括：基底，包括平展部以及凹陷部，以使基底對應(yīng)彎折區(qū)形成基底凹孔；半導(dǎo)體器件層，設(shè)置于基底，并包括多個(gè)層間絕緣層和多個(gè)金屬層，各層間絕緣層在周邊區(qū)及換線區(qū)高低位差分布，以形成包括第一開孔與第二開孔的階梯孔；其中，金屬層的第三金屬層沿階梯孔的側(cè)壁和底部延伸并電連接金屬層的第一金屬層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，彎折區(qū)開孔和引線設(shè)置合理，避免引線的短路或斷路。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

隨著電子設(shè)備的快速發(fā)展，用戶對屏占比的要求越來越高，使得提高電子設(shè)備的屏占比的技術(shù)受到業(yè)界越來越多的關(guān)注。

傳統(tǒng)的電子設(shè)備如手機(jī)、平板電腦等，由于在顯示區(qū)之外存在非顯示區(qū)(例如邊框)，非顯示區(qū)的尺寸往往制約電子設(shè)備屏占比的提高。現(xiàn)有技術(shù)中，可通過在非顯示區(qū)設(shè)置彎折部分來減小非顯示區(qū)位于電子設(shè)備正面的尺寸，但是現(xiàn)有技術(shù)中彎折部分的設(shè)計(jì)缺陷和引線設(shè)置方式容易導(dǎo)致引線的短路或斷路，影響電子設(shè)備正常顯示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制造方法，彎折區(qū)開孔和引線設(shè)置合理，避免引線的短路或斷路。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，具有主區(qū)、周邊區(qū)、彎折區(qū)及換線區(qū)，周邊區(qū)圍繞主區(qū)分布，彎折區(qū)位于周邊區(qū)與換線區(qū)之間，陣列基板包括：基底，包括位于主區(qū)、周邊區(qū)及換線區(qū)的平展部以及位于彎折區(qū)的凹陷部，凹陷部的厚度小于平展部的厚度以使基底對應(yīng)彎折區(qū)形成基底凹孔；半導(dǎo)體器件層，設(shè)置于基底，半導(dǎo)體器件層包括通過層間絕緣層間隔設(shè)置的半導(dǎo)體層、第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層，各層間絕緣層在周邊區(qū)及換線區(qū)高低位差分布，以形成與彎折區(qū)對應(yīng)的貫通開口及與貫通開口層疊且寬度大于貫通開口寬度的第二開孔，貫通開口和基底凹孔連通形成第一開孔，第一開孔與第二開孔一并形成階梯孔；其中，半導(dǎo)體器件層的第三金屬層沿階梯孔的側(cè)壁和底部延伸并電連接周邊區(qū)與換線區(qū)的第一金屬層。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第二開孔的側(cè)壁與第二開孔的底部的夾角為鈍角。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第一開孔的側(cè)壁與第一開孔的底部的夾角為鈍角。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第一開孔具有圓滑的側(cè)壁和/或第一開孔與第二開孔之間具有圓滑過渡角。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，基底包括依次層疊設(shè)置的基層、阻擋層和緩沖層；第一開孔的底面位于基層的上表面。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第一開孔的底面位于阻擋層。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件層包括位于半導(dǎo)體層與第一金屬層之間的第一層間絕緣層、位于第一金屬層與第二金屬層之間的第二層間絕緣層、及位于第二金屬層與第三金屬層之間的第三層間絕緣層；第二開孔的底面位于第一層間絕緣層的上表面。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第二開孔的底面位于第一層間絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，第三金屬層包括多條連接引線，多條連接引線沿第一方向延伸且沿第二方向間隔設(shè)置，第一方向與第二方向相交。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，彎折區(qū)的阻擋層包括沿第一方向延伸且沿第二方向間隔設(shè)置的多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)條狀結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少一條連接引線。