[發明專利]微發光二極管轉移頭在審
| 申請號： | 202010008613.5 | 申請日： | 2020-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN111415894A | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 安范模;樸勝浩;邊圣鉉 | 申請（專利權）人： | 普因特工程有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 汪麗紅 |
| 地址： | 韓國忠清南道*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 轉移 | ||
1.一種微發光二極管轉移頭，其特征在于，包括頭部，所述頭部具備上下貫通而形成的多個貫通孔，其中在所述貫通孔中具備熱變形物質，且在所述熱變形物質的表面吸附微發光二極管。
2.根據權利要求1所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，所述頭部的支撐部包括至少一個以上的陽極氧化膜薄片。
3.根據權利要求1所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，所述熱變形物質由所述熱變形物質的周邊的所述頭部的支撐部支撐。
4.根據權利要求1所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，在所述頭部的上部具備溫度調節元件。
5.根據權利要求4所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，所述溫度調節元件為流體，其中通過調節所述流體的溫度而使所述熱變形物質膨脹，從而在膨脹的所述熱變形物質的表面吸附所述微發光二極管，且通過調節所述流體的溫度而使所述熱變形物質收縮，從而所述微發光二極管從收縮的所述熱變形物質的表面解吸。
6.根據權利要求4所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，所述溫度調節元件為導熱性膜，其中所述熱變形物質在因所述導熱性膜而膨脹的情況下吸附微發光二極管，且所述熱變形物質在因所述導熱性膜而收縮的情況下解吸所述微發光二極管。
7.根據權利要求1所述的微發光二極管轉移頭，其特征在于，所述熱變形物質為聚二甲基硅氧烷。
8.一種微發光二極管轉移頭，其特征在于，包括：
頭部，具備上下貫通且在內部具備壓力變形物質的多個貫通孔；以及
加壓部件，設置到所述頭部的上部，形成有突出部，其中所述突出部形成到與所述貫通孔對應的位置，從而所述壓力變形物質通過所述加壓部件而變形。
9.一種微發光二極管轉移頭，其特征在于，包括：
頭部，具備上下貫通且在內部具備壓力變形物質的多個貫通孔；以及
腔室，設置到所述頭部的上部，可調節壓力，其中在所述腔室的壓力調節成高壓狀態的情況下，所述壓力變形物質膨脹而在膨脹的所述壓力變形物質的表面吸附微發光二極管，且在所述腔室的壓力調節成低壓狀態的情況下，所述壓力變形物質收縮而所述微發光二極管從收縮的所述壓力變形物質的表面解吸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
