[發(fā)明專利]糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010007952.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111245441B | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉曉健;崔蘭蘭;李敏;王嵩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京得瑞領(lǐng)新科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03M13/11 | 分類號(hào): | H03M13/11;G06F11/10 |
| 代理公司: | 北京慧智興達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11615 | 代理人: | 李麗穎 |
| 地址: | 100191 北京市海淀區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 糾錯(cuò)碼 判決 信息 產(chǎn)生 方法 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法和裝置。該方法包括:確定存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間;根據(jù)所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間,查表得到所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的各個(gè)比特的判決信息,作為譯碼器的輸入。該裝置位于與存儲(chǔ)器連接的存儲(chǔ)控制器中,該裝置包括:狀態(tài)區(qū)間確定單元,用于確定存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間;查表判決單元,用于根據(jù)所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間,查表得到所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的各個(gè)比特的判決信息,作為譯碼器的輸入。這種方法和裝置提高了存儲(chǔ)控制器判決信息精度,使之能較準(zhǔn)確地反映不同比特位在不同狀態(tài)區(qū)間的可靠度,從而提升LDPC碼的譯碼性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù),尤其涉及一種糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法和裝置。
背景技術(shù)
硬判決是存儲(chǔ)控制器比如閃存(flash memory)控制器中一種非常重要的信號(hào)判決及估計(jì)方法,通過(guò)將讀取的門限電壓與各個(gè)相鄰狀態(tài)區(qū)間之間的硬判決電平進(jìn)行比較,從而得知該門限電壓所在的狀態(tài)區(qū)間。傳統(tǒng)上,硬判決得到的各個(gè)比特的對(duì)數(shù)似然比(LLR,log-likelihood ratio)值的模是相同的,對(duì)于任意一個(gè)判決區(qū)間內(nèi)的所有比特都賦予相同的LLR模值,這也不是最好的LLR解決方案。對(duì)于采用低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC,Low-densityParity-check)碼的控制器,由于LDPC碼譯碼器是軟譯碼器,所以傳統(tǒng)方法無(wú)法充分發(fā)揮LDPC碼的糾錯(cuò)能力。目前,有涉及軟判決下的LLR獲取方法的現(xiàn)有技術(shù),公開了如何配置軟判決參考電平等問(wèn)題,但是沒有涉及到硬判決時(shí)該如何優(yōu)化LLR的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法和裝置,通過(guò)查找判決信息查找表為判決得到的各個(gè)比特賦上判決信息值,以提高存儲(chǔ)控制器判決獲得的判決信息精度。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一方面,本公開提出一種糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法。所述糾錯(cuò)碼的硬判決信息的產(chǎn)生方法包括:確定存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間;根據(jù)所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間,查表得到所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的各個(gè)比特的判決信息,作為譯碼器的輸入。
可選地,對(duì)于所述糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,確定存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間包括:根據(jù)從存儲(chǔ)單元讀出的門限電平確定所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間。
可選地,對(duì)于所述糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,根據(jù)從存儲(chǔ)單元讀出的門限電平確定所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間包括:獲取存儲(chǔ)器至少一個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)前的門限電平;將獲取的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)前的門限電平與對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的參考電壓作比較,得到所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間。
可選地,對(duì)于所述糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,確定存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間包括:根據(jù)存儲(chǔ)單元輸出的比特信息確定所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間。
可選地,對(duì)于所述糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,根據(jù)所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間,查表得到所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的各個(gè)比特的判決信息,作為譯碼器的輸入,包括:訪問(wèn)與存儲(chǔ)器連接的存儲(chǔ)控制器中的判決信息查找表,判決信息查找表包括各個(gè)狀態(tài)區(qū)間分別對(duì)應(yīng)的判決信息,狀態(tài)區(qū)間對(duì)應(yīng)的判決信息表示存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的各個(gè)比特是0或1的可靠度;將所述存儲(chǔ)單元所在的狀態(tài)區(qū)間對(duì)照所述判決信息查找表,得到所述存儲(chǔ)單元各個(gè)比特所在的狀態(tài)區(qū)間對(duì)應(yīng)的判決信息;將得到的判決信息輸出供譯碼器使用。
可選地,對(duì)于所述的糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,所述判決信息查找表為對(duì)數(shù)似然比查找表。
可選地,對(duì)于所述的糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,所述判決信息查找表通過(guò)以下方法預(yù)先生成:獲取存儲(chǔ)器各個(gè)存儲(chǔ)單元處于各個(gè)狀態(tài)區(qū)間時(shí)的電壓分布;根據(jù)比特與狀態(tài)區(qū)間的映射關(guān)系,依據(jù)對(duì)數(shù)似然比的定義,離線計(jì)算存儲(chǔ)器各個(gè)存儲(chǔ)單元的各個(gè)比特在各個(gè)狀態(tài)區(qū)間對(duì)應(yīng)的對(duì)數(shù)似然比;根據(jù)譯碼器的輸入位寬,計(jì)算對(duì)數(shù)似然比的定點(diǎn)化的整數(shù)值。
可選地,對(duì)于所述糾錯(cuò)碼的判決信息的產(chǎn)生方法,所述判決信息查找表在存儲(chǔ)控制器生產(chǎn)過(guò)程中或生產(chǎn)完成后被導(dǎo)入。
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H03M 一般編碼、譯碼或代碼轉(zhuǎn)換
H03M13-00 用于檢錯(cuò)或糾錯(cuò)的編碼、譯碼或代碼轉(zhuǎn)換;編碼理論基本假設(shè);編碼約束;誤差概率估計(jì)方法;信道模型;代碼的模擬或測(cè)試
H03M13-01 .編碼理論基本假設(shè);編碼約束;誤差概率估算方法;信道模型;代碼的模擬或測(cè)試
H03M13-03 .用數(shù)據(jù)表示中的冗余項(xiàng)檢錯(cuò)或前向糾錯(cuò),即碼字包含比源字更多的位數(shù)
H03M13-25 .由信號(hào)空間編碼進(jìn)行的檢錯(cuò)或前向糾錯(cuò),即在信號(hào)叢中增加冗余項(xiàng),例如梳狀編碼調(diào)制
H03M13-27 .應(yīng)用交錯(cuò)技術(shù)的
H03M13-29 .合并兩個(gè)或多個(gè)代碼或代碼結(jié)構(gòu),例如乘積碼、廣義乘積碼、鏈接碼、內(nèi)層碼和外層碼
- 數(shù)據(jù)記錄方法、記錄介質(zhì)以及再現(xiàn)設(shè)備
- 防止產(chǎn)生糾錯(cuò)碼錯(cuò)誤的轉(zhuǎn)換電路
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- 糾錯(cuò)編碼方法
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