[發(fā)明專(zhuān)利]節(jié)律照明用的LED光源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010006140.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111162153B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黎學(xué)文;陳磊;蔡濟(jì)隆;朱玉雪;吳宇;陳沖;林金填 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 旭宇光電(深圳)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/48;H01L33/50;H01L25/075 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)西*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 節(jié)律 照明 led 光源 | ||
1.一種節(jié)律照明用的LED光源,包括藍(lán)光芯片和被所述藍(lán)光芯片激發(fā)的熒光粉,其特征在于,所述藍(lán)光芯片包括峰值波長(zhǎng)為447.5-452.5nm的第一芯片和峰值波長(zhǎng)為472.5-477.5nm的第二芯片,所述熒光粉包括峰值波長(zhǎng)位于520-540nm之間的綠粉,峰值波長(zhǎng)位于540-570nm之間的黃粉和峰值波長(zhǎng)位于610-640nm之間的紅粉;所述第一芯片與所述第二芯片在相同工作條件下的峰值強(qiáng)度比為(0.3-0.5):1.0;
以所述熒光粉的總重量為100%計(jì),所述綠粉與黃粉的質(zhì)量百分含量之和為93-97%,所述紅粉的質(zhì)量百分含量為3-7%;
所述LED光源的顯色指數(shù)大于80,且所述LED光源的光譜中,470-490nm波段的藍(lán)光光通量占比大于10%,415-460nm波段的藍(lán)光光通量占比小于12%。
2.如權(quán)利要求1所述的LED光源,其特征在于,所述藍(lán)光芯片包括多個(gè)所述第一芯片和多個(gè)所述第二芯片,所述第一芯片和第二芯片通過(guò)串聯(lián)、并聯(lián)或者串聯(lián)和并聯(lián)相結(jié)合的方式連接。
3.如權(quán)利要求1所述的LED光源,其特征在于,以所述熒光粉的總重量為100%計(jì),所述熒光粉中的綠粉質(zhì)量百分含量為17-85%,黃粉的質(zhì)量百分含量為8-80%,紅粉的質(zhì)量百分含量為3-7%。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的LED光源,其特征在于,所述綠粉為稀土摻雜的釔鋁石榴石型熒光粉;和/或,所述黃粉為稀土摻雜的鋁酸鹽型熒光粉;和/或,
所述紅粉為稀土摻雜的硅基氮化物型熒光粉。
5.如權(quán)利要求4所述的LED光源,其特征在于,所述稀土摻雜的釔鋁石榴石型熒光粉中的摻雜稀土元素包括Ce、Ga、Lu、Dy、Tb、Ln和Eu中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求4所述的LED光源,其特征在于,所述稀土摻雜的鋁酸鹽型熒光粉中的摻雜稀土元素包括Ce、Ga、Lu、Dy、Tb、Ln和Eu中的一種或多種。
7.如權(quán)利要求4所述的LED光源,其特征在于,所述稀土摻雜的硅基氮化物型熒光粉含有Ca、Sr和Ba中的一種或多種堿土金屬元素,且含有Eu、Tm和Dy中的一種或多種摻雜的稀土元素。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于旭宇光電(深圳)股份有限公司,未經(jīng)旭宇光電(深圳)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010006140.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





